晶片处理方法和等离子体处理装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114121641A(43)申请公布日2022.03.01(21)申请号202110959471.5(22)申请日2021.08.20(30)优先权数据2020-1443902020.08.28JP2021-0066242021.01.19JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人胜沼隆幸(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司11322代理人龙淳王昊(51)Int.Cl.H01L21/3065(2006.01)H01J37/32(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图13页(54)发明名称晶片处理方法和等离子体处理装置(57)摘要本发明提供晶片处理方法和等离子体处理装置，其目的在于提供抑制由在基片上形成的膜引起的凹部的开口的闭塞的技术，基片处理方法包含使前驱体吸附于基片的侧壁面的工序(a)，侧壁面在基片区划形成凹部，基片处理方法还包含向基片供给第一化学种和第二化学种的工序(b)，第一化学种在侧壁面上由前驱体形成膜，第二化学种抑制膜的厚度的增加，工序(a)与工序(b)交替重复。CN114121641ACN114121641A权利要求书1/2页1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：(a)使前驱体吸附在基片的侧壁面的工序，该侧壁面在该基片区划形成凹部；和(b)向所述基片供给第一化学种和第二化学种的工序，该第一化学种在所述侧壁面上由所述前驱体形成膜，该第二化学种抑制该膜的厚度的增加，所述(a)与所述(b)交替重复。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：所述第二化学种是卤素化学种。3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：所述第二化学种是氟化学种。4.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：所述第二化学种由碳氟化合物、氢氟碳化合物、三氟化氮和六氟化硫中至少一种生成。5.如权利要求2～4中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：所述前驱体含有硅。6.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(b)蚀刻所述侧壁面上的堆积物。7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(a)与所述(b)交替重复前，还包含以形成所述凹部的方式蚀刻所述基片的蚀刻膜的工序，通过该蚀刻膜的蚀刻在所述侧壁面上形成所述堆积物。8.如权利要求6或7所述的基片处理方法，其特征在于：所述堆积物和所述前驱体含有硅，所述第一化学种从由含氧气体形成的等离子体供给，所述第二化学种从由含氟气体形成的等离子体供给。9.如权利要求8所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(b)，由含有所述含氧气体和所述含氟气体的处理气体生成等离子体，该处理气体中的该含氟气体的流量比该处理气体中的该含氧气体的流量多。10.如权利要求8或9所述的基片处理方法，其特征在于：所述含氟气体包含碳氟化合物、氢氟碳化合物、三氟化氮和六氟化硫中至少一种。11.如权利要求1～10中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(b)，对支承所述基片的基片支承器的下部电极赋予电偏压。12.如权利要求11所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(a)与所述(b)的交替重复中，变更所述电偏压的大小。13.如权利要求1～12中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：在(c)所述(a)与所述(b)的交替重复之后，包含以使所述凹部的深度增加的方式蚀刻所述基片的工序。14.如权利要求13所述的基片处理方法，其特征在于：依次执行分别包含所述(a)与所述(b)的交替重复以及所述(c)的第一循环和第二循环，在所述第一循环内的所述(b)中赋予支承所述基片的基片支承器的下部电极的电偏压的大小，与在所述第二循环内的所述(b)中赋予该下部电极的该电偏压的大小不同。2CN114121641A权利要求书2/2页15.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：所述第二循环内的所述(b)中使用的所述电偏压的大小，比所述第一循环内的所述(b)中使用的所述电偏压的大小大。16.如权利要求1～15中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(a)与所述(b)之间和/或所述(b)与所述(a)之间，还包含对在其中收纳所述基片的腔室的内部空间进行清洁的工序。17.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室；以向所述腔室内供给前驱体气体、第一气体和第二气体的方式构成的气体供给部；以由所述第一气体和所述第二气体生成等离子体的方式构成的等离子体生成部；和以控制所述气体供给部和所述等离子体生成部的方式构成的控制部，所述控制部(a)以向所述腔室内供给前驱体气体的方式控制所述气体供给部，使该前驱体气体中含有的前驱体吸附在基片的侧壁面，(b)以在所述腔室内由第一气体和第二气体生成等离子体的方式控制所述气体供给部和所述等离