基板的制作方法及其结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102237287A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102237287A(43)申请公布日2011.11.09(21)申请号201010168786.X(22)申请日2010.04.27(71)申请人中国砂轮企业股份有限公司地址中国台湾台北市延平南路10号(72)发明人胡绍中甘明吉宋健民(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人周长兴(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L23/522(2006.01)权利要求书4页说明书7页附图6页(54)发明名称基板的制作方法及其结构(57)摘要一种在基板的制作方法，包括：提供一金属基板；形成一氧化层于金属基板的一表面；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于中间层上，以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层以形成一金属线路层；形成一表面金属层；以及其后再形成一芯片层于表面金属层上。此外，本发明亦可以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层并使部分化学阻障层露出后；再压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上；进行蚀刻以移除部分的金属层，使金属层亦形成一金属线路层；在未移除的金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于表面金属层上。本发明并提供一种根据前述方法制作的基板结构。CN102378ACCNN110223728702237292A权利要求书1/4页1.一种基板的制作方法，包括：提供一金属基板；形成一氧化层于该金属基板的至少一表面；形成一化学阻障层于该氧化层上；形成一中间层于该化学阻障层上；形成一金属层于该中间层上；以及以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，移除部分的该中间层及该金属层，使该金属层形成一金属线路层；其中，于该氧化层的表面包括有一封孔处理的步骤。2.如权利要求1所述的方法，包括：在未移除的该金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于部分该表面金属层上；其中，该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。3.如权利要求1所述的方法，包括：压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的该化学阻障层上；进行蚀刻以移除部分的该金属层，使该金属层亦形成一金属线路层；在未移除的该金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于部分该表面金属层上；其中，该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。4.如权利要求1所述的方法，其中，该中间层是以蒸镀法或溅镀法形成于该化学阻障层上。5.如权利要求1所述的方法，其中，该氧化层是于该金属基板的该表面以阳极化处理方式形成。6.如权利要求1所述的方法，其中，该氧化层是于该金属基板的该表面以涂布一氧化物的方式形成。7.如权利要求1所述的方法，其中，该化学阻障层是以化学气相沉积法、物理气相沉积法或涂布法形成于该氧化层上。8.如权利要求7所述的方法，其中，该化学气相沉积法包括等离子体辅助化学气相沉积法或微波等离子体化学气相沉积法。9.如权利要求7所述的方法，其中，该物理气相沉积法包括蒸镀法、溅镀法或阴极电弧。10.如权利要求1所述的方法，其中，该化学阻障层为氧化物、碳化物、氮化物、环氧化物、硅胶或聚亚酰胺。11.如权利要求10所述的方法，其中，该碳化物为类钻碳膜或钻石膜。12.如权利要求11所述的方法，其中，该类钻碳膜具有一掺杂物，该掺杂物包括氟、硅、氮、硼或其混合物，该掺杂物的浓度小于20原子百分比。13.如权利要求10所述的方法，其中，该氮化物为氮化铝、氮化硅或氮化硼。14.如权利要求10所述的方法，其中，该氧化物为二氧化硅、二氧化钛或氧化铍。15.如权利要求1所述的方法，其中，该封孔处理是以一无机金属盐类，使其与该氧化2CCNN110223728702237292A权利要求书2/4页层产生水合作用。16.如权利要求15所述的方法，其中，该无机金属盐类包括Ni(CH3COO)2或NiF2。17.如权利要求2或3所述的方法，其中，包括形成一防焊层形成于该金属线路层上。18.如权利要求2所述的方法，其中，于该金属基板的另一表面包括：形成一氧化层；形成一化学阻障层于该氧化层上形成一中间层于该化学阻障层上；形成一金属层于该中间层上；以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，移除部分的该中间层及该金属层，使该金属层形成一金属线路层；在未移除的该金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于部分该表面金属层上；其中，于该氧化层的表面包括有一封孔处理的步骤，且该表面金属层为镍、金、银、锡或其合金。19.如权利要求3所述的方法，其中，于该金属基板的另一表面包括：形成一氧化层；形成一化学阻障层于该氧化层上形成一中间层于该化学阻障层上；形成一金属层于该中间层上；以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，移除部分的该中间层及该金属层，使该金属层形成一金