基板结构及其制作方法.pdf
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基板结构及其制作方法.pdf
本发明公开一种基板结构及其制作方法。基板结构包括基材以及填孔材料。基材具有上表面、下表面、至少一第一盲孔及至少一第二盲孔。基材包括绝缘层、第一铜箔层及第二铜箔层。第一铜箔层与第二铜箔层分别配置于绝缘层彼此相对的两侧表面上。第一盲孔由上表面往第二铜箔层的方向延伸且暴露出部分第二铜箔层。第二盲孔由下表面往第一铜箔层的方向延伸且暴露出部分第一铜箔层。填孔材料填充于第一盲孔及第二盲孔内,且覆盖基材的上表面与下表面。
基板的制作方法及其结构.pdf
一种在基板的制作方法,包括:提供一金属基板;形成一氧化层于金属基板的一表面;形成一化学阻障层于氧化层上;形成一中间层于化学阻障层上;形成一金属层于中间层上,以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层以形成一金属线路层;形成一表面金属层;以及其后再形成一芯片层于表面金属层上。此外,本发明亦可以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层,使金属层形成一金属线路层并使部分化学阻障层露出后;再压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上;进行蚀刻以移除部分的金属层,使金属层亦形成一金属线路层;在未移除的金属线路层表面形成一表
基板互联结构及其制作方法.pdf
本申请提出一种基板互联结构的制作方法,包括以下步骤:提供封装基板,所述封装基板包括依次层叠设置的第一基板以及封装层,所述封装层中设有电子元器件,所述第一基板远离所述封装层的一侧连接有第一焊球;提供第二基板,并在所述第二基板上形成导电柱,所述导电柱和所述第二基板电性连接;在所述导电柱中开设开口;在所述开口中形成导电胶,得到第三基板;以及将所述封装基板与所述第三基板电性连接,并使所述第一焊球位于所述开口中,以及使所述第一焊球通过所述导电胶与所述导电柱电性连接,从而得到所述基板互联结构。本申请降低了所述封装基板
TFT基板的制作方法及其结构.pdf
本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法在第二钝化层(PV2)上沉积覆盖黑色光阻并进行图案化处理,形成一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)之后,再沉积覆盖透明导电薄膜并进行图案化处理,形成像素电极(71)与公共电极(72),由于一体式的主光阻间隔物(61)、次光阻间隔物(62)与黑色矩阵(63)填充、覆盖了黑色矩阵(63)所在区域内的色阻被挖开的空间,使得像素电极(71)与公共电极(72)形成在较平坦的黑色矩阵(63)上,能够避免由于色阻边缘斜坡过
TFT基板的制作方法及其结构.pdf
本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法通过在第一道干蚀刻制程中将非晶硅层(51)位于非TFT区域的部分保留一定的厚度,在第二道干蚀刻制程中形成背沟道(515)的同时,蚀刻掉在非TFT区域保留下来的非晶硅层(51),从而防止栅极绝缘层(4)在第二道干蚀刻制程中受到损伤,提高了TFT基板的品质,减少了品质问题发生的风险,并且由于减少了第一道干蚀刻制程的蚀刻量,从而减少了干蚀刻制程时间,缩短了生产周期,提高了工厂产能。本发明提供的一种TFT基板,其结构简单,栅极绝缘层(4)完整无损伤