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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103594577103594577A(43)申请公布日2014.02.19(21)申请号201310347775.1(22)申请日2013.08.12(30)优先权数据180493/20122012.08.16JP(71)申请人丰田合成株式会社地址日本爱知县(72)发明人楠木克辉佐藤寿朗(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人段承恩杨光军(51)Int.Cl.H01L33/08(2010.01)H01L33/32(2010.01)H01L33/00(2010.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书16页说明书16页附图6页附图6页(54)发明名称半导体发光元件、发光装置(57)摘要本发明的课题是在使用III族氮化物半导体输出呈绿色的波长的光的半导体发光元件中使发光输出功率提高。一种半导体发光元件(1),具有:含有n型杂质(Si)的n型覆盖层(142);层叠在n型覆盖层(142)上的发光层(150);和含有p型杂质且层叠在发光层(150)上的p型覆盖层(161)。发光层(150)具有多量子阱结构,所述多量子阱结构具备第1势垒层(1511)~第5势垒层(1515)和第1阱层(1521)~第4阱层(1524),且由两个势垒层夹持一个阱层。在发光层(150)中设为下述构成:以输出绿色光的组成设定第1阱层(1521)~第4阱层(1524),在第1势垒层(1511)中掺杂n型杂质,在第2势垒层(1512)~第5势垒层(1515)中不掺杂n型杂质。CN103594577ACN1035947ACN103594577A权利要求书1/2页1.一种半导体发光元件,其特征在于,包括:由掺杂有n型杂质的III族氮化物半导体构成的n型半导体层;层叠在所述n型半导体层上,由III族氮化物半导体构成,并且通过通电而发出500nm以上570nm以下的波长的光的发光层;和层叠在所述发光层上,由掺杂有p型杂质的III族氮化物半导体构成的p型半导体层,所述发光层具有:由III族氮化物半导体构成的4层以上的阱层;和5层以上的势垒层,所述势垒层由带隙比所述阱层大的III族氮化物半导体构成,从两侧夹持4层以上的该阱层的每一层,并且,在与所述n型半导体层的边界部与该n型半导体层连接、且在与所述p型半导体层的边界部与该p型半导体层连接,在5层以上的所述势垒层之中的、设在与所述n型半导体层的边界部的1层n侧势垒层中掺杂有所述n型杂质,在5层以上的所述势垒层之中的、将所述n侧势垒层除外的4层以上的势垒层中没有掺杂所述n型杂质。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,5层以上的所述势垒层之中的、将设在与所述p型半导体层的边界部的1层p侧势垒层除外的4层以上的势垒层分别具有第1厚度,5层以上的所述势垒层之中的所述p侧势垒层具有比所述第1厚度薄的第2厚度。3.根据权利要求2所述的半导体发光元件,其特征在于,所述p型半导体层具有:层叠在所述发光层上的p型覆盖层;和层叠在该p型覆盖层上的p型接触层,所述p型覆盖层的厚度,比4层以上的所述阱层的每一层的厚度厚,且为所述p侧势垒层的所述第2厚度以下。4.根据权利要求1~3的任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,4层以上的所述阱层之中,最接近于所述n型半导体层的第1阱层和仅次于该第1阱层地接近于该n型半导体层的第2阱层,分别厚度不均匀地构成,4层以上的所述阱层之中,将所述第1阱层和所述第2阱层除外的2层以上的阱层,分别厚度均匀地构成。5.根据权利要求1~4的任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,所述n型半导体层具有超晶格结构,所述超晶格结构是交替地层叠由III族氮化物半导体构成的第1层和由组成与该第1层不同的III族氮化物半导体构成的第2层而成的。6.根据权利要求1~5的任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,5层以上的所述势垒层分别由GaN构成,并且,4层以上的所述阱层分别由GaInN构成,4层以上的所述阱层分别被设定为共同的厚度且具有共同的组成。7.一种发光装置,其特征在于,具有:形成有第1配线和第2配线的基部;和安装于该基部且与该第1配线和该第2配线电连接,通过介由该第1配线和该第2配线的通电而发光的半导体发光元件,所述半导体发光元件包括:由掺杂有n型杂质的III族氮化物半导体构成的n型半导体层;发光层,其层叠在所述n型半导体层上,由III族氮化物半导体构成并且通过通电而发2CN103594577A权利要求书2/2页出500nm以上570nm以下的波长的光;层叠在所述发光层上,由掺杂有p型杂质的III族氮化物半导体构成的p型半导体层;用于将所述p型半导体层和所述第1配线电连接的p侧电极;和用于将所述n型半导