半导体发光元件、发光装置.pdf
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相关资料
半导体发光元件、发光装置.pdf
本发明的课题是在采用Ⅲ族氮化物半导体输出呈现绿色的波长的光的半导体发光元件中,降低输出的光的发光波长的分布,使单色性提高。半导体发光元件(1)具备:含有n型杂质(Si)的n型覆盖层(142)、在n型覆盖层(142)上层叠的发光层(150)、包含含有p型杂质(Mg)并且在发光层(150)上层叠的p型覆盖层(161)的p型半导体层(160)。发光层(150)具备第1势垒层(1511)~第5势垒层(1515)、和第1阱层(1521)~第5阱层(1524),具有由2个势垒层夹持1个阱层的多量子阱结构。并且,p型覆
半导体发光元件、发光装置.pdf
本发明的课题是在使用III族氮化物半导体输出呈绿色的波长的光的半导体发光元件中使发光输出功率提高。一种半导体发光元件(1),具有:含有n型杂质(Si)的n型覆盖层(142);层叠在n型覆盖层(142)上的发光层(150);和含有p型杂质且层叠在发光层(150)上的p型覆盖层(161)。发光层(150)具有多量子阱结构,所述多量子阱结构具备第1势垒层(1511)~第5势垒层(1515)和第1阱层(1521)~第4阱层(1524),且由两个势垒层夹持一个阱层。在发光层(150)中设为下述构成:以输出绿色光的组
半导体发光元件的外延结构、半导体发光元件及发光装置.pdf
本发明提供一种半导体发光元件的外延结构、半导体发光元件及发光装置,本申请的外延结构至少包括依次叠置的N型层、V坑开启层、发光层以及P型层,其中所述发光层为交替堆叠的阱层和势垒层,所述阱层的带隙能量低于所述势垒层的带隙能量;其中,V坑开启层包含所述第一超晶格层,并且所述V坑开启层的底表面距离所述第二超晶格层的底表面的距离小于或等于0.15μm,所述第一超晶格层的底表面距离所述发光层的厚度介于0.05μm~0.3μm,使V表面坑的尖端位置不低于发光层的起初始位置,由此降低了外延层中的漏电通道路径,提高了LED
半导体发光元件及其发光装置.pdf
本发明提供一种半导体发光元件及其发光装置,其中半导体发光元件,包括:透明衬底、透明键合层、半导体叠层;透明键合层介于透明衬底和半导体叠层之间;半导体叠层包括第一半导体叠层、发光层和第二半导体叠层;所述的透明衬底具有朝向半导体叠层的第一表面,所述的透明衬底的第一表面具有不平整结构;所述的半导体叠层具有朝向透明衬底的第一表面;所述的透明键合层包括第一键合层,所述第一键合层接触所述透明衬底的第一表面,并且所述的第一键合层的折射率低于透明衬底的折射率。利用透明键合层和透明衬底的优化设计,确保键合质量的同时提高半导
半导体发光元件.pdf
本公开涉及半导体发光元件,其包括:外部基板,其具备底部以及与第一半导体发光元件芯片的电极以及第二半导体发光元件芯片的电极电连接的导电层;第一半导体发光元件芯片,其设置在外部基板,并且具备包括通过电子和空穴的再结合而生成紫外线的有源层的多个半导体层以及与多个半导体层电连接的电极;透镜,其形成为包围第一半导体发光元件芯片,从而折射来自第一半导体发光元件芯片的紫外线,并且上述透镜形成规定范围的取向角;以及第二半导体发光元件芯片,其设置在外部基板,并且具备包括通过电子和空穴的再结合而生成可见光的有源层的多个半导体