预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共24页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103730551103730551A(43)申请公布日2014.04.16(21)申请号201310469756.6(22)申请日2013.10.10(30)优先权数据225688/20122012.10.11JP(71)申请人丰田合成株式会社地址日本爱知县(72)发明人楠木克辉佐藤寿朗(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人段承恩杨光军(51)Int.Cl.H01L33/06(2010.01)H01L33/32(2010.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书15页说明书15页附图6页附图6页(54)发明名称半导体发光元件、发光装置(57)摘要本发明的课题是在采用Ⅲ族氮化物半导体输出呈现绿色的波长的光的半导体发光元件中,降低输出的光的发光波长的分布,使单色性提高。半导体发光元件(1)具备:含有n型杂质(Si)的n型覆盖层(142)、在n型覆盖层(142)上层叠的发光层(150)、包含含有p型杂质(Mg)并且在发光层(150)上层叠的p型覆盖层(161)的p型半导体层(160)。发光层(150)具备第1势垒层(1511)~第5势垒层(1515)、和第1阱层(1521)~第5阱层(1524),具有由2个势垒层夹持1个阱层的多量子阱结构。并且,p型覆盖层(161)的厚度设定为第1阱层(1521)~第4阱层(1524)的每一层的厚度的3倍以下。CN103730551ACN10375ACN103730551A权利要求书1/2页1.一种半导体发光元件,其特征在于,包含:n型半导体层,其由掺杂有n型杂质的Ⅲ族氮化物半导体构成;发光层,其在所述n型半导体层上层叠,由Ⅲ族氮化物半导体构成,并且通过通电发出500nm~570nm的波长的光;和p型半导体层,其具有在所述发光层上层叠并且用于该发光层中的载流子的封入的封入层,由掺杂有p型杂质的Ⅲ族氮化物半导体构成,所述发光层具备:由Ⅲ族氮化物半导体构成的4层以上的阱层;和5层以上的势垒层,其由带隙比所述阱层大的Ⅲ族氮化物半导体构成,从两侧夹持4层以上的该阱层的每一层,并且包含与所述n型半导体层连接的n侧势垒层、和在与所述p型半导体层的边界部与该p型半导体层连接的p侧势垒层,所述封入层的厚度是4层以上的所述阱层的每一层的厚度的3倍以下。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,5层以上的所述势垒层分别由GaN构成,并且4层以上的所述阱层分别由GaInN构成,所述封入层由AlxGa1-xN构成,其中0<x≤0.1。3.根据权利要求2所述的半导体发光元件,其特征在于,所述封入层含有3×1018~3×1019原子/cm3的Mg作为所述p型杂质。4.根据权利要求1~3的任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,5层以上的所述势垒层中的所述p侧势垒层的厚度是4层以上的所述阱层的每一层的厚度的4倍以下。5.根据权利要求1~4的任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,所述p侧势垒层的厚度比包含所述n侧势垒层在内的剩余的4层以上的势垒层的厚度薄,并且,所述封入层的厚度比该p侧势垒层薄。6.根据权利要求1~5的任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,所述封入层的厚度为2.0nm~8.0nm。7.一种发光装置,其特征在于,具备:形成有第1配线和第2配线的基部;和半导体发光元件,其安装于该基部,并且与该第1配线和该第2配线电连接,通过经由该第1配线和该第2配线的通电而发光,所述半导体发光元件包含:n型半导体层,其由掺杂有n型杂质的Ⅲ族氮化物半导体构成;发光层,其在所述n型半导体层上层叠,由Ⅲ族氮化物半导体构成,并且通过通电发出500nm~570nm的波长的光;p型半导体层,其具有在所述发光层上层叠并且用于该发光层中的载流子的封入的封入层,由掺杂有p型杂质的Ⅲ族氮化物半导体构成;用于将所述p型半导体层和所述第1配线电连接的p侧电极;和用于将所述n型半导体层和所述第2配线电连接的n侧电极,所述发光层具备:由Ⅲ族氮化物半导体构成的4层以上的阱层;和5层以上的势垒层,其由带隙比所述阱层大的Ⅲ族氮化物半导体构成,从两侧夹持4层2CN103730551A权利要求书2/2页以上的该阱层的每一层,并且包含与所述n型半导体层连接的n侧势垒层、和在与所述p型半导体层的边界部与该p型半导体层连接的p侧势垒层,所述封入层的厚度是4层以上的所述阱层的每一层的厚度的3倍以下。3CN103730551A说明书1/15页半导体发光元件、发光装置技术领域[0001]本发明涉及采用Ⅲ族氮化物半导体的半导体发光元件、具备半导体发光元件的发光装置。背景技术[0002]采用Ⅲ族氮化物半导体的半导体发光元件,一般地,是在用于生成作为载流子的