晶片的倒角加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102355982A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102355982A(43)申请公布日2012.02.15(21)申请号201080012079.X(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专(22)申请日2010.03.30利商标事务所11038代理人吕林红(30)优先权数据2009-0994102009.04.15JP(51)Int.Cl.B24B9/00(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日B24B1/00(2006.01)2011.09.16B24B17/04(2006.01)(86)PCT申请的申请数据H01L21/304(2006.01)PCT/JP2010/0556832010.03.30(87)PCT申请的公布数据WO2010/119765JA2010.10.21(71)申请人日商·大都电子股份有限公司地址日本大阪申请人信越半导体株式会社(72)发明人石政幸男片山一郎加藤忠弘大西邦明权利要求书2页说明书14页附图14页(54)发明名称晶片的倒角加工方法(57)摘要在以往的晶片倒角加工中，虽然晶片周的倒角形状(截面形状)均匀，但在晶片制造的倒角工序处理中，均匀的倒角形状随圆周位置而产生了变化，所以，本发明提供一种对晶片制造的倒角工序处理中的变形进行了估计的晶片倒角加工方法。本发明的晶片的倒角加工方法使无槽砂轮接触在晶片的边缘(周端部)而对晶片进行倒角；其特征在于：将使上述晶片与砂轮在Z轴及Y轴方向上相对移动而在晶片整周形成相同的截面形状的移动轨迹作为基准，为了相应于晶片旋转角度位置在Z轴或Y轴中的至少一轴方向上使晶片与砂轮的相对位置从上述基准轨迹位置变动地进行加工动作，使用压电致动器，相应于晶片的旋转角度位置形成不同的截面形状。CN1023598ACCNN110235598202355992A权利要求书1/2页1.一种晶片的倒角加工方法，在旋转台上对晶片进行定心并载置、使该晶片旋转，使对所述旋转的晶片进行加工的无槽砂轮接触在晶片周端部而对晶片进行倒角；其特征在于：将使所述晶片与砂轮在Z轴及Y轴方向上相对移动而在晶片整周形成相同的截面形状的移动轨迹作为基准，为了相应于晶片旋转角度位置在Z轴或Y轴中的至少一轴方向上使晶片与砂轮的相对位置从所述基准轨迹位置变动地进行加工动作，使用压电致动器，相应于所述晶片的旋转角度位置形成不同的截面形状。2.根据权利要求1所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：每隔所述晶片的旋转角45度使所述砂轮与晶片的相对位置关系交替地改变，形成2种不同的截面形状。3.根据权利要求2所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：在每隔所述晶片的旋转角45度进行的所述砂轮与晶片的相对位置关系改变途中的旋转角度位置，连续地使晶片的截面形状变化。4.根据权利要求1所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：每隔所述晶片的旋转角45度使所述砂轮与晶片的相对位置关系交替地改变，形成2种不同的晶片半径。5.根据权利要求4所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：在每隔所述晶片的旋转角45度进行的所述砂轮与晶片的相对位置关系改变途中的旋转角度位置，连续地使晶片半径变化。6.根据权利要求2或3所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：所述2种截面形状，在晶片前端斜面的倒角宽度固定的状态下，使晶片前端的圆弧的大小不同。7.根据权利要求2或3所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：所述2种截面形状，在晶片前端斜面的倒角宽度和晶片前端部的直线长度固定的状态下，使晶片前端的曲线不同。8.根据权利要求2或3所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：所述2种截面形状，在晶片前端斜面的倒角宽度固定的状态下，使晶片前端斜面的角度大小不同。9.根据权利要求1～8中任何一项所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：相对于以使所述晶片与砂轮在Z轴及Y轴方向上相对地动作而在晶片前端形成所期望的截面形状的方式将砂轮与晶片接触的轨迹，使圆弧或曲线从晶片前端直线部的开始位置错开规定的量，一边随着从晶片前端远离而逐渐返回到原来的圆弧或曲线的轨迹一边进行加工。10.根据权利要求9所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：使圆弧或曲线从所述晶片前端直线部的开始位置的错开量为随晶片旋转角而不同的错开量。11.根据权利要求1～10中任何一项所述的晶片的倒角加工方法，其特征在于：使所述晶片与砂轮在Z轴及Y轴方向上相对地动作而在晶片前端加工所期望的截面形状后，再次使砂轮与晶片前端直线部接触、并在Z轴及Y轴方向上相对地动作，使晶片前端直线部相对于原来的直线倾斜规定角度地进行加工。12.一种晶片的倒角加工方法，在旋转台上对晶片进行定心并载置、使该晶片旋转，使对所述旋转的晶片进行加工的无槽砂轮接触在晶片周端部而对晶片进行倒角；其特征