晶圆级封装的优化散热分析.docx
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晶圆级封装的优化散热分析.docx
晶圆级封装的优化散热分析随着半导体行业的不断发展,晶圆级封装已经成为了芯片封装领域的重要一环。对于晶圆级封装来说,在性能和散热方面的优化都是十分重要的,因为这会直接影响到芯片的稳定性和寿命。本文将阐述晶圆级封装的散热问题,并探讨一些可能的解决方案。晶圆级封装的散热问题晶圆级封装是一种将IC封装胶直接涂敷在晶圆的表面上进行封装的方式。相比于传统的芯片封装方法,晶圆级封装具有封装速度快、费用低等优势,同时也可以提高芯片的可靠性和稳定性。然而,晶圆级封装也面临着散热问题,因为晶圆级封装的封装胶通常具有较低的导热
晶圆级封装方法及晶圆级封装结构.pdf
本发明提供了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构,通过将下层晶圆的第一金属密封圈的内边缘比上层晶圆的第二金属密封圈的内边缘向内延伸1mm以上,来使得上下两层晶圆有足够的工艺窗口来保证第一金属密封圈和第二金属密封圈之间的金属键合,然后对上层晶圆切边时保留要求距离的第二金属密封圈,由此,既能保证键合和切边后的晶圆级封装结构的密封效果,防止水汽、划片液等进入,又解决了后续划片时晶圆级封装结构边缘划不开的问题,且无需增加工艺制程,能够增加有效芯片的可用数量。
用于埋入晶圆级球栅阵列封装的散热结构.pdf
本发明公开了一种用于埋入晶圆级球栅阵列封装的散热结构,其包括:内部热沉通过高导热的热界面材料贴装在大功率芯片上表面,所述内部热沉上表面有很多盲孔,大功率芯片和内部热沉通过塑封胶塑封,内部热沉的上表面裸露在封装外表面。所述内部热沉厚度为100~300um,通常采用铜材质。本发明的优点是:针对大功率芯片埋入晶圆级球栅阵列封装,本技术的优势是将带很多盲孔的内部热沉通过高导热的热界面材料粘在大功率芯片的上表面上,带有很多盲孔的内部热沉上表面裸露在外表面。这种散热结构有利于提高大功率芯片的散热能力以及消除可能出现的
一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构.pdf
本发明属于封装技术领域,具体公开了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构。在晶圆上方设置若干铝焊盘;在所有铝焊盘表面镀一层镍金,形成若干镍金层;将晶圆浸泡在液体助焊剂中,直至所有镍金层表面蘸满助焊剂后取出;将晶圆放入锡炉中,直至每个镍金层上形成一个互联的锡凸点后取出;将晶圆表面的助焊剂洗净;在洗净晶圆的锡凸点一面贴一层胶膜,然后进行塑封料填充。本发明通过先在铝焊盘上镀镍金,再包裹助焊剂,然后放入锡炉生成锡凸点,镍金层外的界面不会浸到锡,替代了复杂锡凸点制作工艺流程。晶圆浸锡完成后,整片晶圆进行助焊剂清洗,然后
晶圆级封装技术.ppt
晶圆级封装(WLP)WLP封装的优势圆片级封装技术的优势使其一出现就受到极大的关注并迅速获得巨大的发展和广泛的应用。在移动电话等便携式产品中,已普遍采用圆片级封装型的EPROM、IPD(集成无源器件)、模拟芯片等器件。圆片级封装技术已广泛用于闪速存储器、EEPROM、高速DRAM、SRAM、LCD驱动器、射频器件、逻辑器件、电源/电池管理器件和模拟器件(稳压器、温度传感器、控制器、运算放大器、功率放大器)等领域。圆片级封装4M工艺流程图重布线层(RDL)的目的是对芯片的铝焊区位置进行重新布局,使新焊区满足