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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103250244A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103250244103250244A(43)申请公布日2013.08.14(21)申请号201180058267.0代理人陈松涛夏青(22)申请日2011.11.18(51)Int.Cl.(30)优先权数据H01L23/48(2006.01)12/959,5152010.12.03USH01L23/28(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日2013.06.03(86)PCT申请的申请数据PCT/US2011/0613382011.11.18(87)PCT申请的公布数据WO2012/074783EN2012.06.07(71)申请人英特尔公司地址美国加利福尼亚(72)发明人M·J·马努沙罗R·纳拉(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002权权利要求书3页利要求书3页说明书6页说明书6页附图10页附图10页(54)发明名称低轮廓微电子封装及其制造方法以及包含该低轮廓微电子封装的电子组件(57)摘要一种低轮廓微电子封装包括管芯(110)(具有第一表面(111)和第二表面(112))及封装衬底(120)。衬底包括电绝缘层(121),其形成所述衬底的第一侧面(126);导电层(122),连接到管芯;以及导电层上的保护层(123),其形成衬底的第二侧面(127)。管芯的第一表面位于衬底的第一侧面。绝缘层具有形成于其中的多个焊盘。封装部件进一步包括互连结构(140)的阵列,位于衬底的第一侧面。所述互连结构的阵列中的每一互连结构都具有第一端部(141)和第二端部(142),第一端部连接到一个焊盘。CN103250244ACN103254ACN103250244A权利要求书1/3页1.一种低轮廓微电子封装,包括:微电子管芯,其具有第一表面和相对的第二表面;封装衬底,围绕所述微电子管芯的至少一部分构造所述封装衬底,所述封装衬底包括:电绝缘层,其形成所述封装衬底的第一侧面,所述电绝缘层具有形成于其中的多个焊盘,其中,所述微电子管芯的所述第一表面位于所述封装衬底的所述第一侧面;导电层,其电连接到所述微电子管芯;以及所述导电层上方的保护层,所述保护层形成所述封装衬底的第二侧面;以及导电互连结构的阵列,其位于所述封装衬底的所述第一侧面,其中所述导电互连结构的阵列中的每一单个互连结构都具有第一端部和相对的第二端部,并且其中所述第一端部连接到所述多个焊盘中的一个焊盘。2.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:所述导电互连结构的所述第二端部定义了位于与所述焊盘相距第一距离处的平面;所述管芯的所述第一表面位于与所述焊盘相距第二距离处;并且所述第二距离小于所述第一距离。3.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:所述导电互连结构是BGA球或SGA球。4.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,进一步包括:在所述保护层中露出的层叠封装焊盘。5.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:所述焊盘定义了所述电绝缘层内的平面;所述导电互连结构的阵列位于所述平面的第一侧面上,并且所述保护层位于所述平面的第二侧面上;并且所述微电子管芯的所述第一表面位于所述平面的所述第一侧面上。6.根据权利要求5所述的低轮廓微电子封装,其中:所述微电子管芯的所述第二表面也位于所述平面的所述第一侧面上。7.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:所述焊盘定义了所述电绝缘层内的平面;所述导电互连结构的阵列位于所述平面的第一侧面上,并且所述保护层位于所述平面的第二侧面上;并且所述微电子管芯的所述第一表面位于所述平面的所述第二侧面上。8.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:所述导电互连结构的所述第二端部定义了位于与所述焊盘相距第一距离处的平面;所述管芯的所述第一表面位于与所述焊盘相距第二距离处;并且所述第二距离大于所述第一距离。9.一种电子组件,包括:低轮廓微电子封装,其包括:微电子管芯,其具有第一表面和相对的第二表面;封装衬底,围绕所述微电子管芯的至少一部分构造所述封装衬底,所述封装衬底包2CN103250244A权利要求书2/3页括:电绝缘层,其形成所述封装衬底的第一侧面,所述电绝缘层具有形成于其中的多个焊盘,其中,所述管芯的所述第一表面位于所述封装衬底的所述第一侧面;导电层,其电连接到所述微电子管芯并且至少部分位于所述电绝缘层内;以及所述导电层上方的保护层,所述保护层形成所述封装衬底的第二侧面;以及导电互连结构的阵列,其位于所述封装衬底的所述第一侧面,其中所述导电互连结构的阵列中的每一单个互连结构都具有第一端部和相对的第二端部,并且其中所述第一端部连接到所述多个焊盘中的一个焊盘;以及板,其使用所述导电互连结构的阵列而连接到