等离子体镀膜设备及其抽气工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103290388A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103290388103290388A(43)申请公布日2013.09.11(21)申请号201310241939.2(22)申请日2013.06.19(71)申请人储昕地址518000广东省深圳市福田区皇岗中路深大新村1栋502房(72)发明人储昕(74)专利代理机构广东国欣律师事务所44221代理人姜胜攀(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)C23C16/50(2006.01)C23C14/22(2006.01)C23C14/56(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图2页附图2页(54)发明名称等离子体镀膜设备及其抽气工艺(57)摘要一种等离子体镀膜设备及其抽气工艺，其采用并联抽气的电弧钛泵+牵引分子泵+前级泵机组，取代现有技术串联抽气的涡轮分子泵（或扩散泵）+罗茨泵机组。由于电弧钛泵和牵引分子泵都是低能耗泵，加上电弧钛泵仅需在精抽阶段运行，运行时间不到整个抽气时间的1/3，牵引分子泵在镀膜阶段抽气能力大幅度高于涡轮分子泵（或扩散泵），而且牵引分子泵在镀膜阶段的抽速也不会随压强变化而显著变化，因此，本发明大幅度降低抽气能耗，提高了镀膜工艺稳定性和镀膜产品质量；加上电弧钛泵+牵引分子泵+前级泵机组无油蒸汽污染，因此本发明还消除了传统抽气机组的油蒸汽污染，进一步保证了镀膜产品质量。CN103290388ACN103298ACN103290388A权利要求书1/1页1.一种等离子体镀膜设备，其特征在于，包括镀膜室，所述镀膜室分别连接有电弧钛泵、牵引分子泵和粗抽泵，所述牵引分子泵与一前级泵连接，所述镀膜室和牵引分子泵之间设有一第一真空阀，所述牵引分子泵和前级泵之间设有一第二真空阀，所述镀膜室和粗抽泵之间设有一第三真空阀；所述电弧钛泵包括钛靶以及与所述钛靶连接的阴极弧源基座，所述钛靶设于所述镀膜室之内，所述阴极弧源基座设于所述镀膜室之外，所述阴极弧源基座通过一绝缘垫与所述镀膜室固定连接，所述阴极弧源基座上设有一永久磁铁，所述阴极弧源基座内设有一冷却水槽，所述阴极弧源基座上开设有一与所述冷却水槽连通的进水口和一与所述冷却水槽连通的出水口，所述钛靶和/或阴极弧源基座上开设有至少一与所述镀膜室连通的气孔。2.根据权利要求1所述的等离子体镀膜设备，其特征在于，所述钛靶和阴极弧源基座连接处的残留空间还设有一弹性导热层。3.根据权利要求2所述的等离子体镀膜设备，其特征在于，所述弹性导热层由金属导热材料制成。4.根据权利要求2所述的等离子体镀膜设备，其特征在于，所述弹性导热层由非金属导热材料制成。5.根据权利要求1所述的等离子体镀膜设备，其特征在于，所述气孔的内径为2~3mm，所述气孔的数量为1~3个。6.根据权利要求1所述的等离子体镀膜设备，其特征在于，所述镀膜室和电弧钛泵之间设有一第四真空阀。7.一种如权利要求1~6中任一项所述的等离子体镀膜设备的抽气工艺，其特征在于包括如下步骤：（1）粗抽阶段：由粗抽泵抽气，将镀膜室的压强从大气压抽至50~200Pa；（2）中真空阶段：由牵引分子泵+前级泵抽气，将镀膜室压强由50~200Pa抽至0.1Pa；（3）精抽阶段：由电弧钛泵+牵引分子泵+前级泵抽气，将镀膜室压强由0.1Pa抽至10-2~10-3Pa，其中，高真空的活性气体由电弧钛泵抽出，高真空的惰性气体以及中真空气体由牵引分子泵和前级泵抽出；（4）镀膜阶段：由牵引分子泵+前级泵抽气，或者由电弧钛泵+牵引分子泵+前级泵抽气。8.根据权利要求7所述的等离子体镀膜设备的抽气工艺，其特征在于，所述步骤（3）中，所述电弧钛泵抽气结束之后，暴露于大气之前，使所述钛靶冷却3~15min。2CN103290388A说明书1/5页等离子体镀膜设备及其抽气工艺技术领域[0001]本发明属于等离子体镀膜技术领域，尤其涉及一种等离子体镀膜设备及其抽气工艺。背景技术[0002]目前，等离子体镀膜设备普遍采用涡轮分子泵（或扩散泵）+罗茨泵串联机组抽气，其存在如下缺点：1、等离子体镀膜设备的镀膜阶段，镀膜室需注入Ar（或其它工作气体），镀膜室压强处在中真空区段（0.2~0.6Pa）。传统等离子体镀膜设备采用的涡轮分子泵（或扩散泵）都是高真空泵，无法在镀膜阶段高效运行，导致抽速降至标称值的1/2~1/5，并且能耗显著增高。[0003]2、扩散泵利用油蒸汽射流抽气，导致油蒸汽污染严重，涡轮分子泵在粗抽阶段，也存在油蒸汽污染，影响镀膜产品质量；3、涡轮分子泵（或扩散泵）在镀膜阶段的抽速随压强变化而显著变化，影响镀膜工艺的稳定性。发明内容[0004]本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种等离子体镀膜