AZO陶瓷靶材粉体冷压-烧结致密化研究.docx
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一种高致密度ITO靶材的烧结方法,先将ITO坯体放进干燥脱脂炉中进行干燥脱脂,再将ITO坯体放在承烧板上并送入氧压炉中,以2~5°C/min的速度升温至500~800°C时第一保温1~5h并通入氧气,以0.5~2°C/min的速度升温至1000~1400°C时第二保温1~5h,氧气流量调整8~30L/min,再以0.5~2°C/min的速度升温至1500~1650°C时第三保温20~60h,氧气流量调整5~20L/min,之后以0.5~2°C/min的速度降温至1200°C,此时关闭氧气并使氧压炉内的压力