LED封装用AgPdAu合金键合线的发展研究.docx
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LED封装用AgPdAu合金键合线的发展研究.docx
LED封装用AgPdAu合金键合线的发展研究LED技术的发展已经深刻地改变了我们的生活方式和生产方式。光电二极管(LED)是一种半导体材料制成的设备,它所发射的光从紫外线到红外线都有,而且功率小,寿命长,运行速度快,环保,节能能力强。LED使用的关键部件之一就是键合线,而AgPdAu合金因其优异的导电性能和金属之间的可靠粘接能力成为LED封装用键合线的主要材料。AgPdAu合金键合线的优点AgPdAu合金键合线可以在制造过程中直接焊接,不需要任何其他附加材料。AgPdAu的良好弹性形变、良好的化学惰性和出
一种LED封装用银合金键合丝及其制造方法.pdf
一种LED封装用银合金键合丝,其特征在于按重量计含有2-3.5%的第一添加成分,10-30ppm的第二添加成分,余量为银;第一添加成分为钯,第二添加成分为金、铂、钙、镁和铁中的一种或其中多种的组合。本发明还提供上述LED封装用银合金键合丝的制造方法,包括下述步骤:(1)熔铸获得线材;(2)拉丝:对线材进行拉丝,获得直径为18-50um的银合金键合丝;在拉丝过程中,在拉丝至直径为0.9100-0.0384mm时进行对线材进行中间退火;(3)最后退火:拉丝完成后,对银合金键合丝进行最后退火,冷却后得到LED封
一种LED封装用超细键合铜合金丝及其制造方法.pdf
本发明提供一种LED封装用超细键合铜合金丝,总氧含量为150~370ppm,磷含量为0~60ppm,余量为高纯铜;其中当该磷含量为0ppm时,该总氧含量为200~370ppm;当该磷含量大于0ppm时,该总氧含量为150~250ppm。本发明相应的制造方法,包括:将含氧量高的高纯铜与含氧量低的高纯铜按预定的比例进行熔炼,获取总氧含量为200~370ppm的线材;或再加入磷,获取总氧含量为150~250ppm,磷含量为60ppm以下的线材;将该线材行多道次拉拔,得到直径为15~50um的键合丝并进行退火处理
以低轮廓封装体封装键合线的方法.pdf
以低轮廓封装体封装键合线的方法包括:将封装体施加在键合线之上,该键合线在第一端连接至晶片并且在第二端连接至电路元件;和将所述封装体的形状截头,以形成截头形体。
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以低轮廓封装体封装键合线的方法包括:将封装体施加在键合线之上,该键合线在第一端连接至晶片并且在第二端连接至电路元件;和将所述封装体的形状截头,以形成截头形体。