低轮廓变压器及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108695049A(43)申请公布日2018.10.23(21)申请号201810219226.9(22)申请日2018.03.16(30)优先权数据15/486,1762017.04.12US(71)申请人英特尔公司地址美国加利福尼亚(72)发明人A·孙达拉姆(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人林金朝王英(51)Int.Cl.H01F27/28(2006.01)H01F27/30(2006.01)H01F27/24(2006.01)H01F30/06(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图9页(54)发明名称低轮廓变压器及其制造方法(57)摘要公开了利用变压器输送电力的技术和机制。在实施例中，变压器包括电介质平板结构、第一导体、围绕第一导体的初级绕组设置的铁磁材料层以及围绕铁磁材料层形成次级绕组的第二导体。对于初级绕组之一或次级绕组之一，绕组的截面符合矩形，其中截面的宽度大于截面的高度。铁氧体层的铁磁材料在初级绕组中的连续初级绕组之间延伸。在另一实施例中，铁氧体层中的铁磁材料的体积分数等于或小于百分之九十七(97％)。CN108695049ACN108695049A权利要求书1/2页1.一种变压器装置，包括：电介质平板结构；第一导体，所述第一导体传导第一信号，其中，所述第一导体形成围绕所述电介质平板结构的初级绕组，其中，所述初级绕组之一的第一截面符合除了任何圆形之外的第一形状，其中，所述第一截面与所述第一信号要流动的方向正交；铁氧体层，所述铁氧体层围绕所述电介质平板结构和所述初级绕组设置，其中，所述铁氧体层的铁磁材料在所述初级绕组中的连续初级绕组之间延伸，其中，所述铁氧体层中的所述铁磁材料的体积分数等于或小于百分之九十七(97％)；以及第二导体，所述第二导体传导第二信号，其中，所述第二导体形成围绕所述初级绕组并围绕所述铁氧体层的一部分延伸的次级绕组，其中，所述次级绕组之一的第二截面符合除了任何圆形之外的第二形状，其中，所述第二截面与所述第二信号要流动的方向正交。2.根据权利要求1所述的变压器装置，其中，所述第一截面的第一宽度和所述第二截面的第二宽度之间的差值是所述第二宽度的至少百分之二十。3.根据权利要求1所述的变压器装置，其中，对于所述第一截面和所述第二截面之一，截面的高宽比等于或小于0.35。4.根据权利要求1所述的变压器装置，其中，所述第一截面的第一高宽比和所述第二截面的第二高宽比之间的差值是所述第二高宽比的至少百分之十。5.根据权利要求1所述的变压器装置，其中，对于所述初级绕组和所述次级绕组之一，绕组的分隔宽度比为至少10％。6.根据权利要求1所述的变压器装置，其中，所述初级绕组和所述次级绕组均具有为至少20％的相应的分隔宽度比。7.根据权利要求1所述的变压器装置，其中，所述初级绕组的第一分隔宽度比和所述次级绕组的第二分隔宽度比之间的差值是所述第二分隔宽度比的至少百分之十。8.根据权利要求1所述的变压器装置件，其中，所述铁氧体层的厚度等于或小于5mm。9.一种用于制造变压器的方法，所述方法包括：围绕电介质平板结构形成第一导体的初级绕组，其中，所述初级绕组之一的第一截面符合除了任何圆形之外的第一形状，其中，所述第一截面与第一信号要在所述初级绕组之一中流动的方向正交；围绕所述第一平板结构和所述初级绕组形成铁氧体层，其中，所述铁氧体层的铁磁材料在所述初级绕组中的连续初级绕组之间延伸，其中，所述铁氧体层中的所述铁磁材料的体积分数等于或小于百分之九十七(97％)；以及围绕所述初级绕组并围绕所述铁氧体层的一部分形成第二导体的次级绕组，其中，所述次级绕组之一的第二截面符合除了任何圆形之外的第二形状，所述第二截面与第二信号要在所述次级绕组之一中流动的方向正交。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一截面的第一宽度和所述第二截面的第二宽度之间的差值是所述第二宽度的至少百分之二十。11.根据权利要求9所述的方法，其中，对于所述第一截面和所述第二截面之一，截面的高宽比等于或小于0.35。12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一截面的第一高宽比和所述第二截面的2CN108695049A权利要求书2/2页第二高宽比之间的差值是所述第二高宽比的至少百分之十。13.根据权利要求9所述的方法，其中，对于所述初级绕组和所述次级绕组之一，绕组的分隔宽度比为至少10％。14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述初级绕组和所述次级绕组均具有为至少20％的相应的分隔宽度比。15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述初级绕组的第一分隔宽度比和所述次级绕组的第二分隔宽度比之间的差值是所述第二分隔宽度比的至少百分之十。16.根据权利要求9所述