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光互连装置及其制造方法.pdf
2023-06-11
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光互连装置及其制造方法.pdf
一种光互连装置包括第一基板、第二基板、光波导、电布线和切换装置。所述第一基板具有电布线线路、用于将电信号转换为光信号的电光转换器、以及用于发射光的光发射装置。所述第二基板具有电布线线路、用于将光信号转换为电信号的光电转换器、以及用于接收来自所述光发射装置的光的光接收装置。所述光波导光连接所述光发射装置和所述光接收装置。所述电布线电连接所述第一基板的所述电布线线路和所述第二基板的所述电布线线路。所述切换装置确定经由所述光波导来传输快信号的数据，并且确定经由所述电布线来传输慢信号的数据。
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公开了一种光控制装置及其制造方法，其中可将液晶和二向色染料均匀分布在液晶层上，可改善上基板和下基板之间的粘附力。所述光控制装置包括：彼此面对的第一基板和第二基板；布置在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶单元，所述液晶单元包括液晶；和阻挡层，所述阻挡层布置在所述第一基板和所述第二基板之间并分隔所述液晶单元，其中所述阻挡层包括布置在第一区域中以具有第一节距的第一阻挡层和布置在围绕所述第一区域的第二区域中以具有第二节距的第二阻挡层。
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本发明涉及光控制装置及其制造方法。所述光控制装置包含：彼此相对的第一电极单元和第二电极单元；和位于所述第一电极单元与所述第二电极单元之间的液晶单元，所述液晶单元包含：液晶；具有由形状与所述液晶相似的第一单体聚合得到的第一聚合物和由形状与所述第一单体不同的第二单体聚合得到的第二聚合物的网络；具有所述第一聚合物和所述第二聚合物的壁。
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本发明提供了一种金属互连结构及其制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，增厚覆盖在介质层表面上的第一缓冲层的厚度，从而避免了由于第一缓冲层厚度较薄，导致金属层对介质层等介质刻蚀选择比低，从而在分步刻蚀第二缓冲层、金属层和第一缓冲层的过程中，由于前一刻蚀过程中存在过刻蚀的问题，导致待执行第一缓冲层的刻蚀工艺时，第一缓冲层的厚度太薄，而发生过刻蚀位于其下的介质层的问题，从而使剩余的介质层厚度不达标，进而降低了半导体器件的性能和产品市场竞争力的问题。
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本发明的实施例提供一种结构。该结构包括：多个场效应晶体管，这些场效应晶体管具有形成在半导体基板的顶部上的栅极堆叠，栅极堆叠具有形成在其侧壁的间隙壁；以及一个或多个导电接触，直接形成在半导体基板的顶部上，并且将多个场效应晶体管之一的至少一个源极/漏极互连到多个场效应晶体管的另一个的至少一个源极/漏极，其中一个或多个导电接触是低轮廓局部互连的一部分，低轮廓局部互连的高度低于栅极堆叠的高度。
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