N型双面单晶硅电池生产工艺探索.docx
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N型双面单晶硅电池生产工艺探索.docx
N型双面单晶硅电池生产工艺探索随着新能源发展的进一步推进,光伏产业作为一项新兴产业,也在不断发展壮大。而其中的核心技术——太阳能电池,也在不断创新中实现着更新换代。而N型双面单晶硅电池,其高效率、高稳定性、低成本等优势得到了越来越多的关注。本文将着重探讨N型双面单晶硅电池的生产工艺。一、N型双面单晶硅电池简介N型双面单晶硅电池,在生产工艺上相比传统P型电池,采用了单晶硅材料制作的双面结构,其中N型区域搭载了实现生产自动化的厚膜技术,以及通过高质量太阳能玻璃覆盖的薄膜技术。N型双面单晶硅电池由两个正极电极和
N型双面电池结构.pdf
本发明提供一种N型双面电池结构,包括基体,基体为N型,基体的正面为掺硼的发射极,发射极上沉积有第一减反钝化膜,第一减反钝化膜上有正面电极,正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触;基体的背面生长一层薄膜,即隧穿氧化层,隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层,掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜,第二减反钝化膜上设置有背面电极,背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触;该种N型双面电池结构,通过在表面设置隧穿氧化层,在基体和背表面场区域之间形成势垒,阻止了空穴向背场区域的流动,从而大大减少了背场区域和
N型双面电池及其加工方法.pdf
本发明公开了N型双面电池,包括N型基体,N型基体,一侧依次设置有重掺杂发射极区域、轻掺杂发射极区域、正面钝化减反膜、正面电极,另一侧依次设置有背面钝化减反膜和背面电极,并且背面电极与N型基体连接的位置处设有局部掺杂背表面场,其中:正面电极穿过正面钝化减反膜与重掺杂发射极形成欧姆接触;背面电极穿过背面钝化减反膜与局部磷掺杂背表面场形成欧姆接触。本发明的N型双面电池及其加工方法,在金属区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合,减少掺杂区域面积降低掺杂区域复合,从而减少整体复合,提高电池的性能。
N型双面电池及其制备方法.pdf
本申请公开了一种N型双面电池的制备方法,包括:S1:对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀,并去除损伤层,使得N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层;S2:在炉管中对N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层,作为N型双面电池的正面;S3:去除硼硅玻璃,并在N型双面电池的正面制作掩膜;S4:在炉管中对N型硅片衬底的另一面进行磷扩散小形成N+层,作为N型双面电池的背面;S5:去除边结、磷硅玻璃以及N型双面电池的正面制作的掩膜;S6:分别在N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极,获得N型双面电池。N型
N型双面电池及其制作方法.pdf
本发明涉及一种N型双面电池及其制作方法。该方法包括:将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理;在N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层,采用第一激光参数,对第一表面进行激光处理,在第一表面上形成p+掺杂区域,并采用第二激光参数,对第一表面进行激光处理,在第一表面上形成p++重掺杂区域;在N型硅片的第二表面上涂覆磷掺杂源,采用第三激光参数,对第二表面进行激光处理,在第二表面上形成n+掺杂区域,并采用第四激光参数,对第二表面进行激光处理,在第二表面上形成n++重掺杂区域;再在第一表面上依次制备钝化减反射膜层和电