具有弯曲表面缺陷的微光学器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104204944104204944A(43)申请公布日2014.12.10(21)申请号201380017479.3(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所(22)申请日2013.03.0511247代理人牛南辉于静(30)优先权数据1205552.12012.03.29GB(51)Int.Cl.G03F7/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.09.28(86)PCT国际申请的申请数据PCT/IB2013/0517372013.03.05(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/153465EN2013.10.17(71)申请人国际商业机器公司地址美国纽约(72)发明人丁飞U·T·迪里希A·W·科诺尔R·F·马特T·H·斯托福尔权权利要求书2页利要求书2页说明书17页说明书17页附图5页附图5页(54)发明名称具有弯曲表面缺陷的微光学器件的制造方法(57)摘要一种微光学器件(1)的制造方法，所述方法包括：-提供材料层(300)；-用纳米尺度尺寸探针，通过局部地解链和/或解吸其分子，构图所述材料层，以获得材料层的弯曲表面(s2)，所述弯曲表面具有在至少平面剖面((y，z)(x，z))中的弯曲轮廓(21、21’、22)；以及-包括通过提供一个或多个与所述弯曲表面接触的另外的材料层完成层结构，以获得所述微光学器件(1)，后者具有所述层结构，所述层结构的给定层(10)由此包括缺陷(20)，所述缺陷被两个表面划界，其中，所述两个表面的一个为所述弯曲表面(s2)，并且所述至少一个平面剖面((y，z)(x，z))垂直于所述层结构。CN104204944ACN10429ACN104204944A权利要求书1/2页1.一种微光学器件(1)的制造方法，所述方法包括：-提供材料层(300)；-通过用纳米级尺寸的探针(50)局部解链和/或解吸其所述材料层的分子，将所述材料层构图，以获得用于所述材料层的弯曲表面(s2)，所述弯曲表面具有在平面剖面((y，z)(x，z))中的弯曲轮廓(21、21’、22)；以及-通过提供与所述弯曲表面接触的一个或多个另外的材料层，完成垂直于所述平面剖面((y，z)(x，z))的层结构，以获得所述微光学器件(1)，其中，所述微光学器件具有所述层结构，所述层结构的给定层(10)包括被两个表面划界的缺陷(20)，其中，所述两个表面中的一个为所述弯曲表面(s2)。2.根据权利要求1的制造方法，其中，构图包括构图所述材料层(300)，以获得具有在任何垂直于所述层结构的平面剖面((y，z)，(x，z))中的弯曲轮廓的弯曲表面。3.根据权利要求2的制造方法，其中，构图包括构图所述材料层(300)，以获得在垂直于所述层结构的至少一个平面剖面((y，z)，(x，z))中基本上为高斯的弯曲轮廓，并且其中，优选地，获得的所述弯曲表面基本上为二维高斯函数。4.根据权利要求1至3中的任一项的制造方法，其中，制造的所述微光学器件为垂直微腔(1)，并且其中，实施完成所述层结构以获得层结构，该层结构包括：-第一反射器(100)和第二反射器(200)，每个包括一个或多个材料层(111-131，211-231)，并且优选为布拉格反射器，-作为在所述第一和第二反射器之间的约束层的所述给定层(10)，其中，基本上限制电磁波，并且其中，所述约束层包括体(12)和所述缺陷(20)，其中，所述两个表面中的一个(s1)邻近所述体(12)，所述两个表面中的另一个(s2)邻近所述第一或者第二反射器的层(211)，并且其中，所述弯曲轮廓具有顶点(25)，所述顶点限定所述缺陷在所述平面剖面中所述两个表面之间的最大厚度h0，所述最大厚度h0小于所述第一或者第二反射器的所述邻近层(211)的厚度，并且其中，优选地，-所述两个表面中的一个邻近所述体的上表面；并且-所述两个表面中的另一个邻近所述第二反射器的最下层的下表面。5.根据权利要求4的制造方法，其中，完成所述层结构，以在所述反射器的一个(200)中获得邻近层(211-231)的N对，所述N对限定2N个弯曲轮廓，所述2N个弯曲轮廓的极值均与所述弯曲表面的所述弯曲轮廓的极值沿着所述垂直轴z而相对准，其中，N≥2并且优选N≥7。6.根据权利要求5的方法，其中，完成所述层结构，以获得分别与所述邻近层的N对相关联的高度偏移(h1，……hN)，所述高度偏移通常沿着垂直轴z而减小，具有关联到直接邻近所述约束层的所述缺陷的层的对的最大高度偏移(h1)。7.根据权利要求1至6中任一项的制造方法，其中构图包括构图所述材料层(300)以22获得所述弯曲表面的给定弯曲轮廓，基本上通过fp,x(x)＝h0(1–((x