

浅谈共晶焊接在LED封装中的应用.docx
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浅谈共晶焊接在LED封装中的应用.docx
浅谈共晶焊接在LED封装中的应用随着LED技术的不断发展,LED灯具已经逐渐成为主流的照明产品。在LED灯具的生产中,有一环节是LED封装。LED封装是将LED芯片固定在基板上并密封起来,以便将其安装在固定的灯具上。而在LED封装过程中,共晶焊接技术得到了广泛的应用。共晶焊接是一种与电子器件封装相关的重要技术之一。其优点包括焊点强度高、连接可靠、焊接过程简单等。因此,在LED灯具的封装过程中,共晶焊接得到了广泛的应用。本文将从共晶焊接的基本原理、应用场景以及优缺点等方面进行讨论。首先,我们来了解一下共晶焊
覆晶封装LED.doc
覆晶封裝LED(T01)主辦單位:台灣電路板協會(TPCA)執行單位:台灣電路板產業學院(PCB學院)上課時間:3/27(四)09:00-12:00,共計3小時。上課地點:桃園市中正路1067號2樓(TPCA教育訓練中心)報名費:會員每位1000元,非會員1500元建議參加:研發、技術、工程、業務的工程師級以上人員。。課程目標:籍由課程讓學員了解到LED的相關知識及應用。課程大綱:一、IntroductiontoLED.二、Flip-chiptechnology三、flip-chipLEDapplicat
共晶焊倒装高压LED的制备及性能分析.docx
共晶焊倒装高压LED的制备及性能分析1.引言随着LED技术的不断发展和应用的使用越来越广泛,对LED芯片质量的要求越来越高,其中,在倒装封装中,共晶焊接接口是影响LED芯片质量和性能的重要因素之一。共晶焊倒装高压LED具有耐电压高,亮度高,寿命长等优点,因此受到了广泛的关注。本文主要研究共晶焊倒装高压LED的制备及性能分析。2.制备方法2.1芯片制备首先,选择InGaN/GaN材料制备LED芯片。在n-GaN基片上生长了多层InGaN发光层、p-GaN衬底层以及p型电极金属,在n型电极也可以使用金属;然后
AuSn共晶键合技术在MEMS封装中的应用.docx
AuSn共晶键合技术在MEMS封装中的应用AuSn共晶键合技术在MEMS封装中的应用MEMS技术是在微电子、光学、机械、化学等多个学科的综合应用的基础上发展起来的一种微型加工技术。MEMS技术可以非常精密地制造微型器件,并且具有小尺寸、高集成度、低功耗和快速响应等优点,因而在计算机科学、医学、生物技术、汽车工程等领域有着广泛的应用。在MEMS技术中,封装技术是非常重要的环节,它可以保护器件不受损坏,防止灰尘、潮湿和机械震动等因素的影响。AuSn共晶键合技术是一种新兴的封装技术,其具有优秀的封装性能,可以在
LED固晶焊线.doc
LED固晶焊线大圆片使用注意事项芯片尺寸:7mil*9mil电极尺寸:60um电极粗化处理A:自动机辨识:目前普遍使用蓝光光源辨识。B:固晶站(以现有客户经验来看,晶片如出现不好焊线的情况之90%的原因是由于固晶站控制不严而造成)操作要求:防止芯片电极粘胶及爬胶操作规范:1、防止吸嘴粘胶后将胶覆盖到芯片电极上。解决办法:a、选用4mil吸嘴(芯片面积为7*9mil,如果吸嘴过大,因固晶机在吸芯片的位置上有公差存在,吸嘴的外壁很容易粘到胶并将胶粘附到下一颗芯片上)b、保持吸嘴无胶。办法:全方位清洗,包括四周