Ge_(12) TM团簇的几何结构和电子特性的研究.docx
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Ge_(12) TM团簇的几何结构和电子特性的研究.docx
Ge_(12)TM团簇的几何结构和电子特性的研究随着科技的不断发展,人们对于材料的研究与应用变得越来越重视。在这其中,团簇材料由于其独特的结构和性质,备受关注。在众多的团簇材料中,Ge_(12)TM团簇也备受关注。本文将从几何结构和电子特性两方面探讨Ge_(12)TM团簇的相关内容。一、几何结构Ge_(12)TM团簇的几何结构是指其原子排列方式,即其分子几何构型。在Ge_(12)TM团簇中,Ge原子通过形成四面体、八面体、六面体等多种不同的构型,与金属过渡元素原子形成成键。其中,通过使用密度泛函理论计算发
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As_n(n=2-12)团簇几何结构和电子性质的DFT研究摘要:本文采用密度泛函理论(DFT)方法研究了一系列As_n(n=2-12)团簇的几何结构和电子性质。通过优化几何结构,得到了每个团簇的最稳定三维构型,并计算了其键长、键角等几何参数。在电子性质方面,我们研究了每个团簇的电子亲和能、电离能、HOMO-LUMO能级、电荷密度等性质,并对其进行了分析。研究发现,随着团簇大小的增加,其几何参数基本保持稳定,但电子性质呈现出一定的规律性变化,这对于As_n团簇的应用具有一定的指导意义。关键词:As_n团簇;