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图形化SiC衬底及新型图形化蓝宝石衬底制备
近年来，随着电子、光电子、光学、能源等领域的蓬勃发展，针对衬底的制备和优化逐渐成为了研究的热点之一。在这其中，图形化SiC衬底和新型图形化蓝宝石衬底的制备更是备受关注。本文将从两方面展开论述。
一、图形化SiC衬底的制备
SiC衬底作为一种半导体材料，在电子、光电子等领域的应用十分广泛。而图形化SiC衬底的制备即是在标准SiC衬底的基础上进行二次加工，通过制备出具有特定图案的衬底，可以在一定程度上改善其电学与光学性质，从而更好地满足实际应用的需要。
具体制备图形化SiC衬底的方法主要有两种，一种是场致生长法，另一种是激光加工法。场致生长法是一种通过加高温度、压力等手段，使得SiC晶体在特定的方向上进行生长，从而形成具有图案的晶面的方法。而激光加工法则是通过利用激光在SiC表面上进行刻蚀，从而获得具有精细图案的衬底的方法。
这两种方法各有优缺点，场致生长法制备出的图形化SiC衬底质量相对稳定，但是成本相对较高。而激光加工法制备的图形化SiC衬底则成本较低，但需要解决激光刻蚀后材料表面的光学、电学性质改变等问题。
二、新型图形化蓝宝石衬底的制备
蓝宝石是一种优秀的无机透明材料，具有较好的硬度、光学性质和应力特性。由于这些优良特性，使得蓝宝石在光电子、电子等领域的应用十分广泛。但是，普通的蓝宝石衬底制备过程中，会存在一定程度上的应力失控等问题，从而限制了其展示更好的性能。
而新型图形化蓝宝石衬底消除了这些问题，使得其具备更加广泛的应用前景。新型图形化蓝宝石衬底的制备原理是通过对蓝宝石晶体进行激光加工或者离子刻蚀等手段，得到具有特定图案的晶面，以此来改善其应力失控等问题。通过调节激光或者离子刻蚀的参数，可以获得各种不同的图案，从而实现对衬底性能的优化。
不难看出，新型图形化蓝宝石衬底制备的过程与图形化SiC衬底制备的过程非常相似。但是由于材料的性质以及加工难度等方面的差异，两者的制备还是有很多不同之处的。
三、总结
综上所述，图形化SiC衬底和新型图形化蓝宝石衬底的制备对于提高衬底的应用性能有着十分重要的作用。通过制备具有特定图案的衬底来优化材料的电学、光学等性质，可以满足现代化科技领域中对于电子器件、光电器件等高性能材料的需求。