图形化SiC衬底及新型图形化蓝宝石衬底制备的任务书.docx

图形化SiC衬底及新型图形化蓝宝石衬底制备的任务书
任务书：
一、项目背景
随着电力电子和信息技术的发展，对高性能半导体材料的需求越来越大。尤其是对于功率电子器件而言，需要具有高电压、高电流、高温稳定性、低损耗等特点的半导体材料。纯硅材料的局限性逐渐显现，因此，需要开发新型材料。
碳化硅（SiC）被广泛认为是最具有发展潜力的半导体材料之一。SiC的功率半导体器件具有优异的性能，如高电压、高频率、低导通电阻、耐高温、耐辐射等特点。但是，SiC的生长技术和衬底制备技术还存在很多问题，制造成本也较高。
图形化SiC衬底和图形化蓝宝石衬底是新型半导体器件衬底材料中的研究热点。图形化衬底的制备可以大大降低材料的消耗和制造成本，并且提高器件的性能。但是，图形化衬底的制备技术还需要进一步研究。
二、项目内容
本项目的主要内容是研究图形化SiC衬底和图形化蓝宝石衬底的制备技术。具体包括以下工作：
1.研究图形化SiC衬底的制备技术。包括选择适当的衬底材料和生长方法，探究图形化生长过程和机制，优化生长条件和方法，提高材料的结晶质量和晶格匹配度。
2.研究图形化蓝宝石衬底的制备技术。包括选择适当的衬底材料和生长方法，探究图形化生长过程和机制，优化生长条件和方法，提高材料的结晶质量和晶格匹配度。
3.衬底材料的表征和分析。利用X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜等仪器对衬底材料的晶体结构、表面形貌和微观结构进行分析。
4.半导体器件的生长和制备。使用图形化衬底材料生长和制备碳化硅和蓝宝石半导体器件，并对器件的性能进行测试和分析。
5.结果的评价和总结。对研究结果进行评价和总结，提出进一步研究的方向和建议。
三、预期成果
1.成功制备出图形化SiC和图形化蓝宝石衬底材料。并且，通过对衬底材料进行表征和分析，优化相关的制备工艺。
2.成功生长和制备碳化硅和蓝宝石半导体器件，并对器件的性能进行测试和分析。可以发现，使用图形化衬底材料生长和制备的器件性能明显优于传统材料。
3.在学术期刊和会议上发表研究成果，提高研究团队的学术水平和研究声誉。
四、研究计划
本项目的研究计划分为三个阶段，每个阶段的具体内容和时间安排如下：
第一阶段：文献调研和试验设计（3个月）
1.调研国内外关于图形化SiC和蓝宝石衬底材料制备的相关文献，对研究方向和方法进行界定和确定。
2.设计试验方案，包括衬底生长和半导体器件制备的试验内容和测试方法。
3.配置实验设备和准备实验材料，进行前期试验。
第二阶段：试验实施和结果分析（6个月）
1.开展图形化SiC和蓝宝石衬底材料制备和表征的试验工作，并对试验结果进行分析和总结。
2.根据实验结果，优化衬底材料的制备和生长技术，提高材料的结晶质量和晶格匹配度。
3.制备碳化硅和蓝宝石半导体器件，并对器件的性能进行测试和分析。
第三阶段：论文撰写和结果总结（3个月）
1.对试验结果进行分析和总结，写出研究成果论文，并提交给学术期刊。
2.总结研究过程和成果，提出进一步研究的方向和建议。
五、预算估算
本项目的预算估算如下：
硅碳和蓝宝石衬底材料制备试验材料和设备费用：200000元
硅碳和蓝宝石衬底材料生长和筛选试验材料和设备费用：300000元
碳化硅和蓝宝石半导体器件制备和测试试验材料和设备费用：500000元
会议和差旅费用：100000元
共计：1100000元
以上预算只属于粗略估算，实际成本根据实际项目需要进行财务预算。