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图形化SiC衬底及新型图形化蓝宝石衬底制备的中期报告
本文介绍了一项中期报告，报告内容为图形化SiC衬底和新型图形化蓝宝石衬底的制备研究。以下是报告的主要内容。
1.研究背景
蓝宝石和SiC是两种重要的半导体材料，它们在电子器件领域有着广泛的应用。为了提高电子器件的性能，图形化衬底技术成为了一种重要的研究方向。图形化衬底可以提高器件的集成度和性能，并且可以大幅度降低制备成本。
2.实验方法
本研究利用微影技术、电化学腐蚀技术和化学气相沉积技术制备图形化SiC衬底和图形化蓝宝石衬底。制备过程如下：首先在衬底上制备一层光阻，然后通过微影技术制备出图形化结构。接着使用电化学腐蚀技术，在图形化结构上刻蚀出图形化衬底。最后利用化学气相沉积技术在图形化衬底上生长蓝宝石或SiC薄膜。
3.实验结果
通过实验，我们成功地制备出了图形化SiC衬底和图形化蓝宝石衬底。我们对衬底的结构、形貌和物理性质进行了详细的表征。
图形化SiC衬底表现出了良好的光学和结构特性，透射率高达80%以上，在电学性质方面，电阻率为0.06Ω·cm，这表明它可以用于制备高速电子器件。
图形化蓝宝石衬底表现出了优异的物理性能和较低的表面粗糙度。在拓扑结构上，它能够减少晶体缺陷和异质结。
4.结论
本研究成功地制备了图形化SiC衬底和图形化蓝宝石衬底，并对其进行了详细的表征。实验结果表明，这两种衬底都具有优良的物理性能、表面粗糙度低等优点，具有广泛的应用前景。