半导体器件物理专题ppt课件.ppt

HEMTHEMT简介一.HEMT简介一.HEMT简介二.两种体系的HEMT制作工序：

1.在半绝缘GaAs衬底上生长GaAs缓冲层（约0.5μm）
2.高纯GaAs层（约60nm）
3.n型AlGaAs（铝镓砷）层（约60nm）
4.n型GaAs层（厚约50nm）
5.台面腐蚀隔离有源区
6.制作Au/Ge合金的源、漏欧姆接触电极
7.干法选择腐蚀去除栅极位置n型GaAs层
8.淀积Ti/Pt/Au栅电极。7图2GaAsHEMT中2-DEG在低温下HEMT的特性将发生退化，主要是由于n-AlGaAs层存在一种所谓DX中心的陷阱，它能俘获和放出电子，使得2-DEG浓度随温度而改变，导致阈值电压不稳定。实验表明：对掺硅的AlxGa1－xAs，当x<0.2基本不产生DX中心，反之则会出现高浓度的DX中心。对于HEMT中的n－AlGaAs层，为了得到较高的能带突变通常取x=0.3，必然会有DX中心的影响。
为了解决这个问题，1985年Maselink采用非掺杂的InGaAs代替非掺杂的GaAs作为2－DEG的沟道材料制成了赝高电子迁移率晶体管PHEMT。

InGaAs层厚度约为20nm，能吸收由于GaAs和InGaAs之间的晶格失配（约为1％）而产生的应力，在此应力作用下，InGaAs的晶格将被压缩，使其晶格常数大致与GaAs与AlGaAs的相匹配，成为赝晶层。因为InGaAs薄层是一层赝晶层且在HEMT中起着i–GaAs层的作用，所以成为“赝”层，这种HEMT也就相应地成为赝HEMT。
1.GaAs体系HEMT2.GaN体系HEMT2.GaN体系HEMT2.GaN体系HEMT三.HEMT的应用三.HEMT的应用三.HEMT的应用三.HEMT的应用感谢老师和同学们！