场效应晶体管及其放大电路应用谭丹.ppt
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模拟电子技术第三章场效应晶体管及其放大电路应用第三章场效应晶体管及其放大电路应用3.2.1N沟道增强型MOS管2.工作原理2.工作原理MOS管在正常工作情况下,uDS、UGS(th)是确定的,则MOS管在正常工作情况下,uDS、UGS(th)是确定的,则3.5场效应管放大电路3.5场效应管放大电路3.3.1共源极放大电路3.3.1共源极放大电路3.3.1共源极放大电路3.3.1共源极放大电路3.3.1共源极放大电路本章小结
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第四章 场效应晶体管及其放大电路.ppt
第四章4.1单极型晶体管4.2场效应管基本放大电路4.3应用电路介绍60年代初,出现了一种利用改变电场强弱来控制固体材料的导电能力半导体器件,称为场效应晶体管,简称场效应管。它是电压控制型器件。与双极型三极管相比,无论是内部的导电机理还是外部的特性曲线,二者都截然不同。场效应管属于一种新型的半导体器件,尤为突出的是:场效应管具有高达107~1015的输入电阻,几乎不取用信号源提供的电流,因而具有功耗小、噪声小、体积小、抗幅射、热稳定性好、制造工艺简单且易于集成化等优点。根据结构的不同,场效应管可分为结型和
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3场效应晶体管及其放大电路场效应管,简称FET(FieldEffectTransistor),其主要特点:1.结型场效应管,简称JFET(JunctionFieldEffectTransistor)3.1结型场效应管N漏极D(drine)符号N沟道结型场效应管1.uDS=0时,uGS对沟道的控制作用NN2.当uGS=0时,uDS对沟道的控制作用NNc.uDS>|UGS(off)|3.当uDS≥0时,uGS(≤0)对沟道的控制作用(1)JFET是利用uGS所产生的电场变化来改变沟道电阻的大小,即利用电场效应