模拟电子技术第3章场效应晶体管及其放大电路.ppt

3场效应晶体管及其放大电路场效应管，简称FET(FieldEffectTransistor)，其主要特点：1.结型场效应管，简称JFET(JunctionFieldEffectTransistor)3.1结型场效应管N漏极D（drine)符号N沟道结型场效应管1．uDS=0时，uGS对沟道的控制作用NN2．当uGS=0时，uDS对沟道的控制作用NNc．uDS>|UGS(off)|3．当uDS≥0时，uGS(≤0)对沟道的控制作用（1）JFET是利用uGS所产生的电场变化来改变沟道电阻的大小，即利用电场效应控制沟道中流通的电流大小，因而称为场效应管。3.1.3结型场效应管的伏安特性1．输出特性（漏极特性）2放大区截止区2．转移特性•当管子工作于恒流区时3.1.4结型场效应管的主要电参数2．交流参数可见，gm与IDQ有关。IDQ越大，gm也就越大。3.极限参数例在图示电路中，已知场效应管的；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？（b）因3.2绝缘栅型场效应管3.2.1增强型绝缘栅场效应管PP2.工作原理(1)uGS=0,uDS≠0PPPPPPPa.uDS升高b.当uGD=uGS-uDS=UGS(th）时c.当uDS进一步增大2．伏安特性与参数(1)可变电阻区(2)放大区(饱和区、恒流区)截止区管子工作于放大区时函数表达式例图示为某一增强型NMOS管的转移特性。试求其相应的常数K值。3.2.2耗尽型MOS管绝缘层中渗入了正离子导电沟道增宽2．伏安特性与参数b．转移特性曲线增强型与耗尽型管子的区别：MOSFET符号JFET符号2.绝缘栅场效应管的栅极为什么不能开路？3.3场效应管放大电路(3)静态分析ab.方法二：估算法例在图示电路其中，VDD=18V、RD=3kΩ、RS=1kΩ、RG=1MΩ，FET的IDSS=7mA、UGS(off)=－8V。试求UGSQ、IDQ和UDSQ。2．分压式偏置故3．信号的输入和输出3.3.2场效应管的微变等效电路为跨导或者FET的高频模型3.3.3场效应管组成的三种基本放大电路由图可知由图可知根据输出电阻的定义：2.共漏极放大电路由图可知输入电阻•由图可知3.共栅极放大电路微变等效电路由图可知故故1.比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管放大电路，在电路结构上有何相似之处？为什么前者的输入电阻较高？
2.为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏置？例1在图示电路中:
（1）如果电路输入、输出电压的波形分别如图(a)、(b)所示。试问该电路的静态工作点可能处于或靠近哪个区？
（2）已知T工作于放大区及IDQ，RG1和RG2，求RS。
（3）在线性放大条件下，写出电路的Au、Ri及Ro的表达式。解：由图可知，该电路是一由N型沟道增强型MOS场效应管组成的共源极放大电路。将以上两式联立求解得：（3）例2电路如图所示，已知T1的gm和T2的、rbe。试写出电压放大倍数Au的表达式。微变等效电路由图可知