第四章 场效应晶体管及其放大电路.ppt

第四章4.1单极型晶体管
4.2场效应管基本放大电路
4.3应用电路介绍60年代初，出现了一种利用改变电场强弱来控制固体材料的导电能力半导体器件，称为场效应晶体管，简称场效应管。它是电压控制型器件。
与双极型三极管相比，无论是内部的导电机理还是外部的特性曲线，二者都截然不同。
场效应管属于一种新型的半导体器件，尤为突出的是：场效应管具有高达107～1015的输入电阻，几乎不取用信号源提供的电流，因而具有功耗小、噪声小、体积小、抗幅射、热稳定性好、制造工艺简单且易于集成化等优点。
根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两大类，它们都只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故又称为单极型三极管。其中绝缘栅型应用更为广泛。4.1单极型晶体管（FET）（1）工作原理上述这种在时没有导电沟道，因而必须在时才形成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。2）漏源间电压好栅源电压对漏极电流的影响2）漏源间电压好栅源电压对漏极电流的影响（2）特性曲线与电流方程2)输出特性曲线2)输出特性曲线2.N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构图4-63.结型场效应管图4-8为N沟道结型场效应管转移特性曲线。当时，沟道被夹断，；减小，增大；时的漏极电流为零偏漏极电流。对于P沟道管子来说，为正值。4.1.2场效应管的主要参数、特点以及使用注意事项（2）极限参数2.使用MOS管的注意事项例4-1电路如图4-10所示，其中管子的输出特性曲线如图(a)所示。4.1.3场效应管与晶体管的比较（4）场效应管的漏极与源极可以互换使用，互换后特性变化不大。而晶体管的发射极与集电极互换后特性差异很大，因此只在特殊需要时才互换。
（5）场效应管比晶体管的种类多，特别是耗尽型MOS管，栅-源电压可正、可负、可零，均能控制漏极电流；因而在组成电路时比晶体管有更大的灵活性。
（6）场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，它们构成了品种繁多的集成电路。但由于场效应管集成工艺更简单，且具有耗电省、工作电源电压范围宽等优点，因此更加广泛地应用于大规模和超大规模集成电路之中。P6晶体管电路设计(上)晶体管电路设计(下)FET放大电路4.2场效应管基本放大电路1.自给偏压2.分压式偏置电路4.2.2场效应管的交流等效模型4.2.3共源放大电路的动态分析1.求电压放大倍数4.2.4共漏放大电路的动态分析1.求电压放大倍数3.求输出电阻例4-44.3绝缘栅双极型晶体管(IGBT)4.3应用电路介绍应用二：场效应管用于放大驻极体话筒的信号应用三：人体感应电路应用四：利用场效应管作非接触式测电笔应用五：对卤钨灯作缓启动应用六：VMOS管用于控制碘钨灯的亮度模拟电子技术基础习题