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第15章光刻:光刻胶显影和先进的光刻技术目标提纲1.引言2.曝光后烘培DUV曝光后烘培常规I线胶PEB3.显影光刻胶显影问题负胶正胶正胶显影液显影方法连续喷雾(continuousspray)显影旋覆浸没(puddle)显影光刻胶显影参数4.坚膜5.显影检查6.先进的光刻技术下一代光刻技术极紫外(EUV)光刻技术角度限制投影电子束光刻技术(SCALPEL)SCALPEL系统结构SCALPEL工作原理离子束投影光刻技术(IPL)X射线光刻技术7.显影质量测量关键尺寸沾污表面缺陷套准对准小结小结作业