光刻胶、光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法.pdf
慧颖****23
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光刻胶、光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法.pdf
本发明涉及光刻胶技术领域,具体而言,涉及一种光刻胶、光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法。光刻胶,包括有机溶剂、光致酸产生剂及氧化锆纳米颗粒成膜树脂,将丙醇锆与不饱和有机羧酸混合加热制备所述氧化锆纳米颗粒成膜树脂。光致酸产生剂能够引发氧化锆纳米颗粒成膜树脂团聚,且具有式I和/或式II所示结构,其中R
负性光刻胶组合物、制备方法及形成光刻胶图案的方法.pdf
本发明提供了一种负性光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法,具体涉及光刻胶技术领域。该负性光刻胶组合物包括高硅树脂和光敏产酸剂。高硅树脂和光敏产酸剂的质量比为10‑70:0.5‑10。本发明提供的负性光刻胶组合物,使用具有良好化学稳定性以及绝缘性能的高硅树脂,能够降低负性光刻胶组合物的介电常数,介电常数低至2.8‑3.2,能够满足封装工艺的绝缘性要求,可以提高封装效率和效果,打破国外垄断,降低生产成本。
光刻胶组合物和形成光刻图案的方法.pdf
光刻胶组合物和形成光刻图案的方法。一种光刻胶组合物,所述光刻胶组合物包含:包含酸不稳定基团的第一聚合物;第二聚合物,所述第二聚合物包含:由下列通式(I)的第一单体形成的第一单元,其中:P是可聚合的官能团;R1选自取代和未取代的C1-C20线性、支化和环状烃;Z是选自取代和未取代的线性或支化脂肪族和芳族烃及其组合的间隔单元,任选具有一个或多个选自-O-、-S-和-COO-的连接结构部分;和n是0-5的整数;以及由具有碱性结构部分的第二单体形成的第二单元,其中第一单体和第二单体不相同;其中第二聚合物不含酸不稳
半导体光刻胶组合物、制备其的方法及形成图案的方法.pdf
本发明公开一种半导体光刻胶组合物,包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂;和一种制备其的方法;以及一种使用其形成图案的方法。所述半导体光刻胶组合物具有极好灵敏度、分辨率以及存储稳定性。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]<base:Imagehe=@395@wi=@392@file=@DDA0003383946260000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portrait@inline=@no@/>
光刻胶去除方法及光刻胶重制方法.pdf
本发明涉及光刻胶去除方法及光刻胶重制方法,涉及半导体集成电路的制造技术,在光刻胶去除过程中,首先使用含氧的气体对光刻胶层进行第一次等离子体刻蚀,去除晶圆表面一定高度的光刻胶,并在晶圆表面保留一定高度的光刻胶,然后使用含氢的气体对剩余的光刻胶层进行第二次等离子体刻蚀,将剩余的光刻胶层全部去除,如此兼具了使用含氧的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺和使用含氢的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺的优点,而避免缺陷产生,进而提高半导体器件的良率。