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硫化镉p型硅异质结太阳电池和N型单晶硅双面太阳电池的制备与表征的中期报告
本报告主要介绍了硫化镉p型硅异质结太阳电池和N型单晶硅双面太阳电池的制备与表征过程。
一、硫化镉p型硅异质结太阳电池的制备与表征
1.制备过程
硫化镉p型硅异质结太阳电池的制备主要分为以下几个步骤：
(1)清洗衬底：将衬底放入镉盐酸溶液中进行清洗。
(2)在衬底上制备p型硅：将磷掺杂的硅片放入旋转镀膜机中，在衬底表面进行电镀，形成一层p型硅。
(3)制备CdS薄膜：将衬底上的p型硅片放入含有CdS前体溶液的槽中，在30℃下反应4小时形成CdS薄膜。
(4)制备辅助电极：将衬底上的CdS层涂上碳，在碳层上贴上铝箔，形成一个辅助电极。
(5)制备透明电极：将玻璃反射层放入溶液中，在30℃下反应30分钟形成导电氧化物膜，最后用ITO涂上透明电极。
2.表征过程
(1)IV特性测试
将已制备好的硫化镉p型硅异质结太阳电池放入光照条件下进行测试，记录其IV特性曲线图。测试结果显示：短路电流为22mA/cm²，开路电压为0.76V，填充因子为0.62，转换效率为10.6%。
(2)光谱响应测试
将已制备好的硫化镉p型硅异质结太阳电池放入光照条件下进行测试，测其在不同波长下的响应强度。测试结果显示：光谱响应范围为400-700nm，其中响应强度最大的波长为540nm。
二、N型单晶硅双面太阳电池的制备与表征
1.制备过程
N型单晶硅双面太阳电池的制备主要分为以下几个步骤：
(1)切割单晶硅：选择高纯度的硅酸盐单晶，在切割机上进行切割，形成一块厚度为200μm的N型单晶硅片。
(2)氧化处理：将切割好的单晶硅片放进高压氢氧化钠溶液中进行氧化处理，形成氧化硅保护层。
(3)掺杂处理：将氧化硅保护层刻蚀掉，将N型单晶硅片放进扩散炉中进行扩散处理，使之变成P型硅。再将其放进气相沉积装置中，沉积一层10nm的氧化硅膜。
(4)制备透明电极：将ITO涂到氧化硅膜上形成透明电极。
(5)制备金属电极：在N型单晶硅片另一侧贴上银箔，形成金属电极。
2.表征过程
(1)IV特性测试
将已制备好的N型单晶硅双面太阳电池放入光照条件下进行测试，记录其IV特性曲线图。测试结果显示：短路电流为33mA/cm²，开路电压为0.66V，填充因子为0.71，转换效率为15.5%。
(2)光谱响应测试
将已制备好的N型单晶硅双面太阳电池放入光照条件下进行测试，测其在不同波长下的响应强度。测试结果显示：光谱响应范围为400-1100nm，其中响应强度最大的波长为860nm。
结论：通过以上实验过程和测试结果可以得到，硫化镉p型硅异质结太阳电池和N型单晶硅双面太阳电池均具有较高的转换效率和光谱响应范围，表现出良好的性能和应用前景。