非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究.docx
快乐****蜜蜂
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究.docx
非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究摘要:非晶硅薄膜作为一种重要的半导体材料,在太阳能电池、显示器件和光电器件等领域具有广泛的应用。然而,非晶硅薄膜的性能与结晶硅相比仍存在着一定的差距。准分子激光晶化作为一种具有潜力的技术,在改善非晶硅薄膜的结晶性能方面具有重要作用。本文旨在综述非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究,并对其机理和应用进行分析和探讨。1.引言随着信息技术和光电子技术的快速发展,对高效、低成本、大面积的半导体材料的需求不断增加。非晶硅薄膜由于其优异的光学和电学性能,受到了广泛
P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池产业化研究的中期报告.docx
P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池产业化研究的中期报告本研究旨在探索P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池的产业化路径,对于中期成果,我们做出如下总结:一、技术路线我们经过对P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池多种技术路线进行评估,最终选择以化学气相沉积(CVD)为关键技术,采用非晶硅薄膜和单晶硅薄膜异质结构的复合技术路线。在中期阶段,我们已经完成CVD反应器的搭建以及非晶硅薄膜的制备,正在进行单晶硅薄膜的制备工作。二、产业化前景在多领域需求的推动下,P型非晶硅薄膜及非晶硅薄膜电池产业化前景十分广阔。据初步市场调研,行业市
氢化非晶硅薄膜的晶化处理研究.docx
氢化非晶硅薄膜的晶化处理研究氢化非晶硅薄膜的晶化处理研究摘要:氢化非晶硅薄膜在太阳能电池、薄膜晶体管和存储器等领域具有广泛的应用前景。然而,氢化非晶硅薄膜具有不稳定性和低光电转化效率等缺点。因此,研究如何有效晶化处理氢化非晶硅薄膜,以提高其性能非常重要。本文综述了近年来氢化非晶硅薄膜晶化处理的研究进展,包括热退火、金属催化剂和激光晶化等方法。同时,还介绍了在晶化过程中对非晶硅薄膜物理性质和结构的影响,并总结了晶化处理对氢化非晶硅薄膜光电转化效率的提高。最后,对未来氢化非晶硅薄膜晶化处理研究的发展趋势进行了
一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法.pdf
本发明涉及一种多晶硅薄膜低温快速晶化方法。以单晶硅Si(100晶相)为衬底,利用磁控溅射镀膜仪在单晶硅衬底上溅射一层非晶硅(α-Si)薄膜和Al膜,利用光热退火炉在N2气氛下150℃~200℃退火,得到多晶硅薄膜。利用Al诱导非晶硅薄膜晶化,可以在较低温度(150℃~200℃)下晶化,得到晶粒尺寸在20~100nm的多晶硅薄膜,降低了成本,退火时间短,降低了晶化过程中的能耗,晶化率达到40%~70%,能很好的与非晶硅微晶硅叠层太阳电池器件的要求相匹配。
用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法.pdf
本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法,具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案:1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗,使玻璃衬底清洁;2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜,沉积时衬底温度为200℃左后,薄膜厚度为200nm-300nm;3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜,厚度为10nm-20nm,得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构;4、将衬底/(a-Si:H)/S