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p--GaN刻蚀及欧姆接触技术研究的任务书
任务书
任务名称：GaN刻蚀及欧姆接触技术研究
任务背景：
随着新一代半导体器件技术的迅猛发展和广泛应用，研究并开发新型半导体器件的需求日益增加。其中，氮化镓（GaN）材料因其优异的电学和光学特性，被广泛地应用于高频、高功率和高温环境下的器件中，如GaN基射频功率晶体管（RF-PHEMT），深紫外发光二极管（UVLED）等。但是，GaN材料的刻蚀和欧姆接触技术仍然是一个挑战，因为GaN具有极高的耐化学性和难以形成良好的金属接触。因此，本次任务旨在研究GaN的刻蚀和欧姆接触技术，为GaN材料的应用提供技术支持和解决方案。
任务目标：
1.研究GaN的刻蚀机理和工艺优化方法，以高效、精度和可靠性为目标，实现对GaN的可控刻蚀。
2.研究GaN材料的金属接触机理和欧姆接触过程，探讨金属材料与半导体材料之间的相互作用和界面特性，为GaN的高效、稳定、可靠的金属接触提供技术支持。
任务内容：
1.收集和整理GaN刻蚀工艺流程和相关文献，了解GaN的刻蚀机理和特性，确定合适的刻蚀工艺参数和条件。
2.选择合适的刻蚀设备和工艺方法，优化刻蚀过程和参数，进行刻蚀实验和表征，分析刻蚀效果和表面形貌，评估刻蚀速率、精度和可重复性。
3.选择合适的金属材料和制备方法，制备金属薄膜，并与GaN材料进行接触。实验测试并分析金属与GaN界面的特性和电学性能，研究欧姆接触的机理和影响因素。
4.优化金属接触工艺和条件，评估和比较不同金属材料的欧姆接触性能，提供建议和解决方案，为GaN材料的应用提供技术支持。
任务计划：
任务阶段|任务内容|时间|人员
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第一阶段|文献调研、工艺参数选择、样品制备|1个月|研究人员
第二阶段|刻蚀实验、表征及分析|2个月|研究人员
第三阶段|金属薄膜制备、欧姆接触实验及分析|2个月|研究人员
第四阶段|工艺优化、性能评估、方案提出|1个月|研究人员
第五阶段|任务报告撰写和汇报|1个月|研究人员
任务要求：
1.在规定时间内完成任务，并达到任务目标。
2.收集和整理相关文献，了解行业发展趋势和技术应用现状。
3.利用实验仪器设备，选择合适的工艺条件和指标进行刻蚀和欧姆接触实验，得出可信的实验数据和结果，并进行数据处理和分析。
4.按时撰写任务报告，汇报任务进展情况、研究成果和提出后续的研究建议。
5.保证实验安全，正确操作实验仪器设备，遵守实验室规章制度。
任务奖励：
1.完成任务并达到任务目标，每位研究人员可获得相应的研究经费和绩效奖励。
2.在任务报告中被公认为关键技术创新点和重要贡献的研究将有机会获得进一步支持和资助，推动应用和产业化。
任务评估：
1.任务组织者将根据任务计划和进展情况，对任务进行周期性评估，及时跟踪和解决任务中出现的问题和困难。
2.任务组织者将对任务完成情况、技术水平、研究成果和报告撰写进行综合评估，并给予奖励和反馈。