基于AlGaNGaN HEMT器件的欧姆接触技术研究的任务书.docx

基于AlGaNGaNHEMT器件的欧姆接触技术研究的任务书
任务书：基于AlGaNGaNHEMT器件的欧姆接触技术研究
一、研究背景及意义
AlGaNGaNHEMT（高电子迁移率场效应晶体管）具有高频、高功率、高电子迁移率等优点，在射频微波应用领域广泛应用。而AlGaNGaNHEMT器件的性能主要取决于其电极材料与半导体材料之间的接触质量。因此，欧姆接触技术的研究对于优化AlGaNGaNHEMT器件的性能具有重要意义。
欧姆接触是指电极与半导体材料之间的接触方式，它能够直接决定AlGaNGaNHEMT器件的电学性能和稳定性。因此，对欧姆接触技术的研究不仅能够帮助我们了解AlGaNGaNHEMT器件的性能，还可以为其性能的进一步提升提供技术支持。
二、研究任务及内容
本研究的任务是在AlGaNGaNHEMT器件的电性能和稳定性方面，探索欧姆接触技术的优化策略。具体研究内容包括：
1.欧姆接触材料的选择
根据AlGaNGaNHEMT器件的制备工艺和性能需求，选择合适的欧姆接触材料。通过比较研究、测试和分析，确定最优的欧姆接触材料类型、成分和层数等参数。
2.欧姆接触工艺的优化
在欧姆接触材料选择的基础上，对欧姆接触工艺进行进一步的研究和优化。通过制备电极结构和初始退火过程来实现优化欧姆接触的目的，并研究工艺参数对欧姆接触行为和性能的影响。
3.欧姆接触电学性能和稳定性的测试
对于优化的欧姆接触，进行各项电学性能和稳定性测试。主要包括欧姆接触电学特性、界面态等方面。运用扫描电子显微镜、能谱仪、原子力显微镜和X射线衍射仪等现代化仪器设备和各种测试手段，得出测试结果和结论，并进行分析。
三、研究方法与技术路线
本研究采用实验和理论相结合的方法，结合材料物理、表面物理和器件物理等领域的相关知识和技术，针对AlGaNGaNHEMT器件的欧姆接触技术进行综合研究。
研究步骤和技术路线如下：
1.材料制备和样品制备
制备AlGaNGaNHEMT试片样品，制备欧姆接触电极样品。
2.欧姆接触材料选择和优化工艺的研究
通过试验和模拟计算等方法，确定最优的欧姆接触材料类型、成分和层数等参数，探究欧姆接触工艺的优化策略。
3.欧姆接触电学性能和稳定性的测试
通过实验测试和模拟计算等方法，评估欧姆接触电学性能和稳定性。分析测试结果，得出结论和建议。
四、研究预期成果
1.欧姆接触材料和工艺方面的研发成果，预计能够成功优化欧姆接触材料和工艺，提高AlGaNGaNHEMT的性能和稳定性。
2.科学实验数据，包括欧姆接触电学性能和稳定性的测试结果、界面化学成分等多方面数据，这些数据和结果对于理论探讨和实际应用都有很大的参考价值。
3.发表学术论文。本研究预计取得较为突出的成果，并参加相关国际学术会议分享和交流自己的研究成果，进一步推广欧姆接触技术的优化和应用。
五、研究条件和进度
本研究在实验设备、人员等各方面条件具备。预计项目实验周期为2年，研究进度安排如下：
第1-6个月：学习相关理论知识和文献资料，进行样品制备和基础实验工作。
第7-12个月：根据初步实验结果，进行欧姆接触材料和工艺的优化研究。
第13-18个月：完成欧姆接触性能测试和分析结果，得出结论并进行实验复核。
第19-24个月：汇总实验数据和结果，撰写论文并投稿。同时，积极参加相关的学术交流会议。
六、预算
本研究项目预算为200万人民币，主要用于设备采购、实验耗材和人员经费等方面。同时，该项研究也将寻求国家和省市科研基金等项目资助。