基于AlGaNGaN HEMT的源漏整体刻蚀欧姆接触结构.docx

基于AlGaNGaNHEMT的源漏整体刻蚀欧姆接触结构
AlGaNGaNHEMT是一种高频功率晶体管，具有优异的电气性能，如高电子迁移率和宽禁带带宽等特点。欧姆接触是HEMT的一个关键组件，其性能直接影响整个器件的性能。因此，研究高质量的源漏整体刻蚀欧姆接触结构对于提高AlGaNGaNHEMT性能具有重要意义。
AlGaNGaNHEMT是一种异质结晶体管，由AlGaN/GaN异质结构、上包层、栅极和源漏极组成。作为HEMT的重要组成部分，源漏整体刻蚀欧姆接触要求金属与AlGaN/GaN异质结的接触电阻尽可能小。此外，还需要保证接触结构的稳定性和可靠性。
通常，制备源漏整体刻蚀欧姆接触结构的方法包括热蒸发、直流磁控溅射和反应磁控溅射等。其中，反应磁控溅射法在制备高质量欧姆接触方面具有显著的优势。该方法可以实现高纯度、均匀、致密的金属/AlGaN界面，提高了接触的电性能。
同时，为了提高欧姆接触的稳定性和可靠性，一些方法可被采用。例如，在源漏区域进行温度退火处理、采用不同结构的欧姆接触金属和/或在接触面上加注钛/铂/金等元素。
在实验中，通过对AlGaN/GaN异质结构进行样品研磨和氧化处理，可以获得高质量的接触结构。然后，利用反应磁控溅射在源漏区域上沉积金属膜，并施加恒定电流进行烧结和形成欧姆接触结构。最后，在接触面上进行钛/铂/金元素的加注处理，并利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱等手段对结构进行表征。
研究表明，采用上述工艺制备的源漏整体刻蚀欧姆接触结构具有优异的电性能和稳定性。接触电阻小，高频性能好，具有优异的线性特性和稳定的循环寿命。此外，其制备工艺简单，易于推广和生产。
总之，源漏整体刻蚀欧姆接触结构的制备对于提高AlGaNGaNHEMT性能具有重要意义。围绕这一问题，我们可以采用反应磁控溅射法和钛/铂/金元素加注等方法，制备高质量的接触结构，实现高效稳定的电性能。