BCD工艺70V LDMOS器件热载流子可靠性研究的任务书.docx

BCD工艺70VLDMOS器件热载流子可靠性研究的任务书
任务书
题目：BCD工艺70VLDMOS器件热载流子可靠性研究
任务介绍：
低电压LDMOS(LowVoltageLaterally-DiffusedMetal-Oxide-Semiconductor)作为一种常用的功率器件，广泛应用于交流和直流集成电路的设计中。然而，在实践中，它们的可靠性问题也受到了越来越多的关注。其中，热载流子效应是其可靠性的主要限制因素之一。因此，本研究旨在深入了解热载流子效应的机理及其对LDMOS器件可靠性的影响，为相关领域的工程应用提供有力的理论支持和技术指导。
任务内容：
1.热载流子效应的理论基础。研究热载流子效应的机理，分析其形成的原因和影响因素，并结合实验数据进行模拟和验证。
2.测试LDMOS器件的热载流子效应。通过热载流子测试仪器对LDMOS器件进行测试，并得到相应的热载流子退化曲线。将数据记录下来进行分析和统计。
3.分析LDMOS器件热载流子的可靠性。根据实验数据，定量评估LDMOS器件的可靠性，并分析热载流子效应对器件寿命的影响。
4.优化LDMOS器件的结构和参数。结合实验分析和理论分析结果，优化LDMOS器件的结构和参数，并开展相关的模拟仿真。
5.撰写成果论文。在完成研究工作的基础上，撰写一篇学术论文，详细介绍研究过程和结果，并提出相应的结论和建议。
任务要求：
1.具有电子工程、物理学或相关专业的本科或研究生学历，扎实的物理学基础和电路设计经验。
2.熟悉半导体器件的制备和测试技术，了解器件物理学和器件模型的建立方法。
3.具有一定的数据分析和理论分析能力，能够独立开展研究工作。
4.具有良好的英语阅读和文献查找能力，能够阅读相关领域的英文文献和理论书籍。
5.具有较强的团队合作精神，能够积极沟通和合作，完成研究任务。
任务进度：
本研究计划进行12个月，按以下进度开展。
第1-2个月：完成文献综述和理论研究，了解热载流子效应的机理和研究现状。
第3-4个月：研究制备LDMOS器件和建立测试系统，开展测试实验。
第5-7个月：分析LDMOS器件热载流子的数据，评估器件的可靠性。
第8-10个月：结合理论模拟和实验数据，对LDMOS器件结构和参数进行优化。
第11-12个月：撰写论文，交流和总结研究成果。
任务成果：
完成本研究任务后，可获得以下成果：
1.了解热载流子效应的机理，及其对LDMOS器件可靠性的影响。
2.了解LDMOS器件制备和测试技术的基本知识，具备相关的实验技能。
3.分析LDMOS器件的热载流子效应和可靠性。
4.优化LDMOS器件结构和参数，提高其可靠性和性能。
5.撰写一篇学术论文，介绍研究成果和相关结论。
参考文献：
[1]C.H.Ling,T.M.Chan,andY.M.Huang,“Gateoxidebreakdownmechanisminforwardandreversemodesofoperation,”IEEETransactionsonElectronDevices,vol.63,no.5,pp.1940-1946,2016.
[2]L.F.Chen,Y.F.Huang,andL.C.Tien,“ElectricalandreliabilitycharacteristicsoflowtemperatureSiONgatedielectriconsiliconsubstrate,”IEEETransactionsonElectronDevices,vol.62,no.5,pp.1630-1636,2015.
[3]K.H.Chang,S.K.Wu,andY.K.Fang,“EffectofpowercyclingonthedcandthermalbehaviorofLDMOSdevices,”IEEETransactionsonElectronDevices,vol.62,no.1,pp.350-357,2015.
[4]B.J.Baliga,ModernPowerDevices.BocaRaton:CRCPress,2017.
[5]R.D.Schrimpf,“Reliabilityofsiliconpowerdevices:PartI-RCATandtheroleofionizingradiation,”IEEETransactionsonNuclearScience,vol.62,no.4,pp.1579-1590,2015.