功率STI-LDMOS器件热载流子退化机理与寿命模型研究的任务书.docx

功率STI-LDMOS器件热载流子退化机理与寿命模型研究的任务书
一、任务背景及意义
功率STI-LDMOS器件广泛应用于各个领域，如通信、电力、航空航天等。随着SOC技术的不断进步和新电子材料的发展，功率器件在器件参数和工作环境方面面临更高的要求和更复杂的应用场景。STI-LDMOS器件由于其具有优异的特性，如高电压能耐受能力、低漏电流以及低导通电阻，因此在处理高功率信号和控制高压的电路中得到了广泛应用。
然而，长时间工作会对LDMOS器件的退化产生很大的影响，进而降低器件的寿命和稳定性。学术界和工业界都在对功率LDMOS器件的寿命进行深入的研究。在这种背景下，本研究旨在探究功率STI-LDMOS器件的热载流子退化机理与寿命模型，以期提高器件的可靠性和寿命。
二、研究内容
1.热载流子退化机理的研究
热载流子退化是STI-LDMOS器件降低寿命的重要因素之一。本研究将通过理论模拟和实验验证，深入研究热载流子退化机理，分析其产生的原因、机理和影响因素。
2.寿命模型的建立
基于热载流子退化机理，建立适用于STI-LDMOS器件的寿命模型。将通过参数拟合、数值模拟等方法，优化模型的准确性和适用性。
3.实验验证与分析
验证寿命模型的准确性，通过实验测量器件的性能参数，如漏电流、导通电阻等，进一步分析器件寿命与退化的关系。
4.提高器件寿命的措施
根据热载流子退化机理和寿命模型，提出有效的器件寿命提高措施。
三、技术路线
1.热载流子退化机理研究
利用SilvacoTCAD工具对功率STI-LDMOS器件的热载流子退化机理进行数值模拟，分析退化机理、影响因素和参数变化规律。
2.寿命模型建立
结合TCAD模拟结果，基于Weibull分布函数建立STI-LDMOS器件寿命模型，并采用逆向工程方法验证模型的准确性和适用性。
3.实验验证与分析
根据建立的寿命模型，设计实验验证方案，测量器件寿命和各项参数，分析退化与寿命的关系，验证模型的准确性。
4.提高器件寿命的措施
综合考虑热载流子退化机理和建立的寿命模型，提出有效的器件寿命提高措施，如退火处理、界面工艺优化等。
四、成果要求及应用前景
1.获得STI-LDMOS器件热载流子退化机理与寿命模型的深入认识。
2.成功建立STI-LDMOS器件的寿命模型，并验证其准确性和适用性。
3.提出有效的器件寿命提高措施，并为STI-LDMOS器件的可靠性和寿命提高做出贡献。
4.推动STI-LDMOS器件在各个领域应用的可靠性和稳定性进一步提高。
研究成果将为新材料、新工艺的探索和器件设计提供重要参考，有望在航空航天、能源、通信等领域带来重要的应用前景。