BCD工艺70V LDMOS器件热载流子可靠性研究的开题报告.docx

BCD工艺70VLDMOS器件热载流子可靠性研究的开题报告
一、选题的背景与意义
随着集成电路技术的发展，LDMOS（LateralDoubleDiffusedMOS）器件由于结构简单、工作电压高等优越特性，在通信、电力电子等领域得到了广泛应用。但在高功率、高频率应用中，热载流子效应会显著影响器件的可靠性，引起器件失效的主要机制之一就是热载流子损伤。在高电压下，热载流子会生成一些空穴和电子，这些空穴和电子的能量会损坏晶体管中的氧化物和衬底，进而导致器件性能的退化和失效。因此，对于高电压高频LDMOS器件的热载流子可靠性进行研究，可以为其可靠性设计及制造提供指导，从而更好地满足实际应用需求。
二、研究的目的和内容
本研究旨在深入研究BCD工艺下的70VLDMOS器件热载流子的可靠性问题，在热载流子效应作用下，对器件的漏电流特性、转移特性、输出特性等进行分析和研究。具体内容包括以下两个方面：
1.采用Silvaco公司仿真软件对器件结构进行仿真，分析热载流子效应对器件的漏电流特性产生的影响。
2.根据所得结果，进一步分析器件的转移特性以及输出特性，研究热载流子效应在高电压下对器件的损害机制和损害程度。
三、研究的方法和步骤
1.文献调研，搜集相关热载流子效应的理论知识和研究现状。
2.通过Silvaco公司的仿真软件对器件结构进行仿真，分析热载流子效应对器件的漏电流特性产生的影响。
3.根据仿真结果，分析器件的转移特性以及输出特性，并结合实验数据进行验证。
4.深入研究热载流子效应在高电压下对器件的损害机制和损害程度。
5.总结研究结果，提出针对性的处理方案，为高电压高频LDMOS器件的可靠性设计及制造提供指导。
四、预期结果
通过本次研究，预计能够深入研究BCD工艺下的70VLDMOS器件热载流子的可靠性问题，获得更为准确的理论分析和仿真模拟结果，更好地揭示热载流子效应对LDMOS器件的损害机理和机制。同时，能够为高电压高频LDMOS器件的可靠性设计及制造提供指导，使其更好地满足实际应用需求。