GaAs MESFET和HEMT器件的HPM电热损伤效应研究的任务书.docx

GaAsMESFET和HEMT器件的HPM电热损伤效应研究的任务书
任务书
一、任务背景
高功率微波（HPM）成为当今信息战争中的重要技术手段，已被广泛应用于军事、民用等领域。而功率放大器是实现高功率微波系统中不可缺少的器件之一。其中GaAs材料的HEMT和MESFET器件由于具有高速、高频、低噪声等优点，成为高功率微波系统中的重要器件。然而，在高功率微波波段下，这些器件会遭受电热损伤效应的影响，这会导致器件性能下降，严重的情况下甚至损坏器件。因此，对这种电热损伤效应进行深入的研究具有重要意义。
二、任务目的
本任务的目的是对GaAsMESFET和HEMT器件在高功率微波波段下的HPM电热损伤效应进行研究，找到HPM电热损伤效应的根源，并提出相应的解决方案和预防措施，为高功率微波系统的性能提升和实际应用提供技术支撑。
三、研究内容
1.高功率微波波段下GaAs材料的HPM电热损伤机理分析，包括电热效应导致的温度升高、电场和载流子的相互作用所引起的载流子损伤等。
2.采用HPM电热损伤测试系统实验研究GaAsMESFET和HEMT器件在高功率微波波段下的HPM电热损伤效应，测定器件的失效功率、电压、电流等参数，并分析实验数据，得出器件的损伤特点和规律。
3.在研究的基础上，开展改进GaAsMESFET和HEMT器件的电热损伤防护技术的研究，提出相应的解决方案和预防措施，针对不同的HPM电热损伤特征，分别提出不同的防护措施，并进行验证。
四、研究重点
1.研究高功率微波波段下GaAs材料的HPM电热损伤机理，以及GaAsMESFET和HEMT器件的HPM电热损伤特性。
2.建立GaAsMESFET和HEMT器件的HPM电热损伤模型，并对模型进行验证和优化。
3.开发新型的GaAsMESFET和HEMT器件防护技术，提高器件的防护能力，减少其在处理高功率微波信号时的电热损伤效应。
五、研究方法
1.文献调研法：对GaAs材料的特性进行综述，了解高功率微波波段下的电热损伤研究现状，为后续实验提供理论依据。
2.高功率微波波段下GaAsMESFET和HEMT器件的HPM电热损伤测试法：通过HPMEMT吸波室高压、高重复率、脉冲、微波信号模拟空间电磁环境下GaAsMESFET和HEMT器件的电热损伤特性。该实验可采取单脉冲及多脉冲两种情况。
3.数据处理与分析法：利用逻辑分析仪、示波器、功率计等电子仪器对GaAsMESFET和HEMT器件的失效功率、失效电压、失效电流等进行测试，并对实验数据进行处理和分析，得出器件的损伤规律。
六、时间安排
第1-2个月：文献调研，深入分析高功率微波波段下GaAs材料的HPM电热损伤机理。
第3-5个月：开展HPM电热损伤测试实验，得出GaAsMESFET和HEMT器件的电热损伤特性。
第6-8个月：对实验数据进行分析和处理，得出器件的损伤规律。
第9-10个月：提出相应的解决方案和预防措施。
第11-12个月：总结成果，撰写研究报告。
七、预期成果
1.深入研究了高功率微波波段下GaAsMESFET和HEMT器件的HPM电热损伤特性，得出器件的损伤规律。
2.提出相应的解决方案和预防措施，为高功率微波系统的性能提升和实际应用提供技术支撑。
3.撰写研究报告，包括任务背景、研究内容、实验设计、测试结果、数据分析等，推动科学研究进步。