NiOZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究.docx
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NiOZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究摘要:本文研究了NiO/ZnO异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能。采用溅射法制备NiO/ZnO异质结及MgNiO固溶体薄膜,并对其结构、光学和电学性质进行了表征。研究结果表明,NiO/ZnO异质结和MgNiO固溶体薄膜具有优异的光电性能,可用于光电器件等领域。关键词:NiO/ZnO异质结,MgNiO固溶体薄膜,溅射法,光学性质,电学性质正文:一、引言NiO/ZnO异质结和MgNiO固溶体薄膜是近年来研究的热点。NiO/ZnO异质结具有优
ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究的开题报告.docx
NiO/ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究的开题报告题目:NiO/ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究背景介绍:半导体异质结是由两种半导体材料组成的接触面上的空间电荷区形成的结构。异质结可以用于太阳电池、光电探测器、发光二极管、激光器等领域,因此具有广泛的应用前景。目前,NiO/ZnO异质结的制备及其性能研究已经引起了广泛的关注。MgO-NiO体系是一种具有重要应用价值的材料体系,其固溶体MgNiO在光学、磁学、电学等方面表现出良好的性能,因此也备受关注。研究
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钛酸盐基半导体异质结的制备及光催化性能研究钛酸盐基半导体异质结的制备及光催化性能研究摘要:随着环境污染问题加剧,寻求高效的光催化材料成为了关键。钛酸盐基半导体异质结由于其优异的光催化性能而备受关注。本研究通过不同方法制备了钛酸盐基半导体异质结,并系统研究了其光催化性能。结果表明,钛酸盐基半导体异质结具有良好的光催化活性,可应用于环境污染物的降解和水的分解等领域。关键词:钛酸盐基半导体异质结,制备方法,光催化性能引言随着工业化的快速发展,环境污染问题日益严重,尤其是水污染成为了一个全球性的问题。寻找高效的光
ZnMgO薄膜与ZnMgOZnO异质结的制备及其性能研究.docx
ZnMgO薄膜与ZnMgOZnO异质结的制备及其性能研究摘要:本文通过化学气相沉积法制备了ZnMgO薄膜和ZnMgO/ZnO异质结,并对其物理性质进行了研究。我们测量了样品的光学性质、结构性质和电学性质,并分析了其表现出的性能。实验结果表明,ZnMgO薄膜中的Mg含量对其结构和光学性质产生了显著影响。而ZnMgO/ZnO异质结在光电性能方面表现出极佳的性能,具有广阔的应用前景。关键词:ZnMgO,异质结,化学气相沉积法,光电性能引言:ZnO是一种广泛应用的半导体材料,其具有优异的光电性能和稳定性。但是,纯
ZnO基薄膜的、异质结制备与应用研究综述报告.docx
ZnO基薄膜的、异质结制备与应用研究综述报告ZnO是一种广泛使用的重要材料,其特殊的物理和化学性质使得它在电子器件、太阳能电池、光学器件、气敏传感器等领域得到广泛应用。而ZnO基薄膜的、异质结制备与应用更是热门的研究方向之一。本文将综述ZnO基薄膜的、异质结制备与应用研究的现状和发展趋势。1.ZnO基薄膜制备方法目前,制备ZnO基薄膜的方法主要有物理气相沉积法、化学气相沉积法、溅射法、电化学沉积法等。其中,物理气相沉积法是目前使用最广泛的制备方法。它可以在150-600℃的范围内生长薄膜,并且具有制备高质