ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究的开题报告.docx

NiO/ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究的开题报告
题目：NiO/ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究
背景介绍：
半导体异质结是由两种半导体材料组成的接触面上的空间电荷区形成的结构。异质结可以用于太阳电池、光电探测器、发光二极管、激光器等领域，因此具有广泛的应用前景。目前，NiO/ZnO异质结的制备及其性能研究已经引起了广泛的关注。
MgO-NiO体系是一种具有重要应用价值的材料体系，其固溶体MgNiO在光学、磁学、电学等方面表现出良好的性能，因此也备受关注。
研究目的：
本文旨在研究NiO/ZnO基半导体异质结和MgNiO固溶体薄膜的制备方法及其性能表现，探讨其在光学、磁学、电学等方面的应用前景，为这种材料的进一步开发应用提供理论基础和实验依据。
研究内容：
（1）NiO/ZnO基半导体异质结薄膜的制备方法：采用磁控溅射技术制备NiO/ZnO基半导体异质结薄膜，优化制备工艺参数，探究其结构和性能特征。
（2）MgNiO固溶体薄膜的制备方法：采用激光分解沉积技术制备MgNiO固溶体薄膜，对制备过程中的关键参数进行优化，研究其结构和性能特征。
（3）NiO/ZnO基半导体异质结和MgNiO固溶体薄膜的性能研究：分别对两种材料的光学、磁学、电学性质进行测试和分析。
（4）分析两种材料的应用前景：根据研究结果，探讨两种材料在太阳电池、光电探测器、发光二极管、激光器等应用领域的潜力和前景。
研究意义：
本研究将有助于深入了解NiO/ZnO基半导体异质结和MgNiO固溶体薄膜的结构和性能特征，为这种材料在光电技术、磁学、电学等领域的应用提供理论和实验依据，具有重要的应用和推广价值。