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NiOZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究的开题报告
一、研究背景及意义
半导体异质结是研究的热点之一，具有广泛的应用前景。NiO和ZnO都是具有特殊光电性质的材料，NiO具有优异的p型半导体性能，而ZnO具有优异的n型半导体性能。因此，NiO/ZnO异质结材料具有良好的半导体性质，可用于光电器件等领域。
MgNiO固溶体具有广泛的应用前景，其具有优异的电学、光学和磁学性质，可用于光电器件、电子器件、磁性器件等领域。因此，研究NiO/ZnO异质结及MgNiO固溶体的制备与性能对于推广其应用具有重要意义。
二、研究内容及方法
1.制备NiO/ZnO异质结材料：采用射频磁控溅射法在NiO单晶衬底上依次沉积NiO和ZnO层，制备NiO/ZnO异质结材料，并对其结构、形貌和光学性质进行表征。
2.制备MgNiO固溶体薄膜：采用射频磁控溅射法在In2O3：Sn透明导电玻璃衬底上沉积MgNiO薄膜，制备MgNiO固溶体薄膜，并对其结构、形貌和电学性质进行表征。
3.表征：采用XRD、SEM、TEM、PL等手段对制备的材料进行结构、形貌和光电性质等方面的表征。
三、研究意义与创新点
1.通过制备NiO/ZnO异质结材料，探究其光学性质，为其在光电器件中的应用提供基础研究支持。
2.通过制备MgNiO固溶体薄膜，探究其电学性质，为其在电子器件和磁性器件中的应用提供基础研究支持。
3.通过对NiO/ZnO异质结及MgNiO固溶体的制备与性质研究，深入了解其内在机制，并对材料的应用提供新思路和新方法。
四、预期成果
1.成功制备NiO/ZnO异质结材料，并对其光电性质进行深入研究，预计发表SCI论文1-2篇。
2.成功制备MgNiO固溶体薄膜，并对其电学性质进行深入研究，预计发表SCI论文1-2篇。
3.深入了解NiO/ZnO异质结及MgNiO固溶体的内在机制，并为其应用提供新思路和新方法。
五、拟解决的科学问题
1.如何制备高质量的NiO/ZnO异质结材料，保证其光电性质的稳定性和可重复性？
2.如何制备高质量的MgNiO固溶体薄膜，保证其电学性质的稳定性和可重复性？
3.如何在NiO/ZnO异质结及MgNiO固溶体的应用领域中发挥其优异性能，提高其应用价值？