日盲紫外探测器数值仿真与集成器件制备的开题报告.docx
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日盲紫外探测器数值仿真与集成器件制备的开题报告开题报告:日盲紫外探测器数值仿真与集成器件制备一、选题的背景和意义随着科技的不断进步和人们对于自然界了解的不断深入,我们对于紫外线的应用和发掘也越来越深入。紫外线是太阳光谱的一部分,波长范围在100纳米至400纳米之间,相应的能量范围在3.1至12.4电子伏特。紫外线可以被分为三个区域:长波紫外线(UVA)、中波紫外线(UVB)和短波紫外线(UVC)。其中,UVC范围内的短波紫外线对人体和物体都有一定的伤害性,因此人们开始对这一范围内的紫外线进行监测和研究。目
MgZnO日盲探测器的材料生长与器件制备的开题报告.docx
MgZnO日盲探测器的材料生长与器件制备的开题报告一、研究背景随着红外探测技术的发展,人们对于日盲探测器的需求也越来越高。目前,MgZnO材料因其具有宽带隙、大激子束缚能、高光电转换率、高寿命、高热稳定性等优点,被广泛认为是一种潜在的用于制备日盲探测器的材料。然而,目前MgZnO材料的制备技术尚未得到很好的解决,同时MgZnO日盲探测器的性能还有待于进一步研究。因此,本研究旨在探索MgZnO材料生长技术和MgZnO日盲探测器的器件制备技术,通过实验研究,提高MgZnO日盲探测器的性能。二、研究内容1.Mg
基于氧化镓纳米线的日盲紫外探测器件的制备与性能.docx
基于氧化镓纳米线的日盲紫外探测器件的制备与性能摘要:本文介绍了一种基于氧化镓纳米线的日盲紫外探测器件的制备方法及其性能。通过制备氧化镓纳米线,并将其转移至有机聚合物基底上,形成紫外探测器件。实验结果表明,该探测器件在UV-C波段(200-280nm)有明显的光电响应,并且具有日盲性能。其中,响应度为0.7A/W,暗电流为10^-10A。该研究不仅为制备高性能紫外光电探测器提供了新的思路,也为其他半导体纳米材料在光电器件上的应用提供了新的思路。关键词:氧化镓纳米线,UV探测器,日盲性,聚合物基础前言:随着人
日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法.pdf
本申请提供一种日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法,属于日盲紫外探测技术领域。探测器包括:高阻非晶氧化镓层,氧空位浓度和致密度可在1~2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积,厚度15~30nm,有相对的第一和第二表面;低阻非晶氧化镓层,氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积,连接于第一表面;收集电极,有分别与第二表面连接的第一和第二电极。探测方法采用探测器,包括:在20~100V的工作电压下进行探测;或每次探测后转换电压正负性。探测器作为两端结构可兼具高的响应度和低
日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法.pdf
本申请提供一种日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法,属于日盲紫外探测技术领域。探测器包括:高阻非晶氧化镓层,其氧空位浓度和致密度可在1~2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到,厚度为15~30nm,具有相对的第一表面和第二表面;低阻非晶氧化镓层,其氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到,连接于第一表面;收集电极,具有分别与第二表面连接的第一电极和第二电极。探测方法包括:在20~100V的工作电压下,采用探测器对日盲紫外光进行探测。探测器作为两端结构可兼具高的