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极化库仑场散射对GaN基电子器件栅源和栅漏寄生电阻的影响研究的开题报告
一、研究背景
氮化镓（GaN）正逐渐成为半导体领域中的重要材料，因其在高功率电子器件中的应用具有广泛潜力。然而，在GaN基电子器件的设计和制造过程中，栅源和栅漏寄生电阻一直是制约器件性能的主要障碍之一。
栅源和栅漏寄生电阻是由于极化库仑场引起的。在高电场下，GaN表面的极化效应会导致电子运动的非常混乱，从而使电流密度大大降低，从而影响了器件的性能。因此，研究极化库仑场散射对栅源和栅漏寄生电阻的影响，对于GaN基电子器件的优化设计和性能提升具有重要意义。
二、研究内容
本研究旨在探究极化库仑场散射对GaN基电子器件栅源和栅漏寄生电阻的影响。具体研究内容如下：
1.极化库仑场的理论分析。在实验工作之前，本文将回顾相关的理论知识，分析极化库仑场对GaN基电子器件性能的影响机制。通过理论计算，确定极化库仑场散射对栅源和栅漏寄生电阻的影响量。
2.栅源和栅漏寄生电阻的实验测试。本研究将通过实验测试来验证理论计算结果。通过刻蚀技术和铝线制备技术，制备样品并进行测试。实验结果将用于验证理论计算的准确性，并优化GaN基电子器件的性能。
3.优化GaN基电子器件的设计。在理论分析和实验测试的基础上，将优化GaN基电子器件的设计，降低栅源和栅漏寄生电阻，提升器件性能。通过比较和分析设计方案，逐步优化器件的参数，以实现对极化库仑场散射的抑制，提高其性能指标。
三、研究意义
本研究将有助于进一步了解GaN基电子器件栅源和栅漏寄生电阻的局限性。通过研究极化库仑场散射对它们的影响，可以优化器件设计，提高其可靠性和性能。同时，本研究的结果也可为GaN材料在高功率电子器件中的应用提供理论和实验基础，为GaN材料的发展和应用带来新的途径和方向。
四、研究计划
1.第一阶段：文献调研和理论分析，确定研究内容和目标。
2.第二阶段：样品制备和实验测试。使用刻蚀技术和铝线制备技术来制备样品，并通过实验测试来验证理论分析结果。
3.第三阶段：数据分析和结论总结。将通过分析实验数据和理论计算结果，总结研究结论，提出优化GaN基电子器件设计的方案。
4.第四阶段：结果发表和反馈。将研究成果发表在相关学术期刊或国际会议上，接受业界专家的反馈和探讨。同时，将继续完善研究内容，提高研究水平和成果的质量。