GaN基电子器件中极化库仓场散射机制研究的开题报告.docx

GaN基电子器件中极化库仓场散射机制研究的开题报告
一、研究背景及意义
氮化镓(GaN)材料由于具有优异的热稳定性、高电子流速、高电子饱和迁移率、高崩溃电场等优良特性，在功率电子、光电器件、通信等领域得到广泛应用。在各种GaN基电子器件中，电子输运对于器件的性能起着至关重要的作用。然而，GaN材料晶格结构对电子的极化效应非常敏感，极化效应会导致电子在晶格宏观场的作用下发生湍流运动，从而降低它们的迁移率和信号速度。因此，在研究GaN基电子器件中的电子输运机制方面，极化库伦场散射效应是一个重要的研究内容。
二、研究内容及方法
本文的研究内容主要是探讨GaN基电子器件中极化库伦场散射效应的机理和特性，并采用数值模拟方法对其进行模拟和分析。
具体地，在数值模拟方面，本文将采用蒙特卡罗方法来模拟在强极化场下电子的输运过程。由于在强场下，电子受到极化效应和利用库伦场的力交互作用效应所产生的运动会显著影响电子的输运特性。因此，蒙特卡罗方法能够准确地模拟出电子的动力学行为，包括其在极化场和库伦场的作用下所受到的碰撞效应并衰减。
三、研究目标与意义
本研究的主要目标是:
1.对于GaN基电子器件中极化库伦场散射效应的机理和特性进行深入研究和分析。
2.采用数值模拟方法对GaN基电子器件中的极化库伦场散射效应进行模拟和计算，并从理论上分析其对电子输运特性的影响。
3.为GaN基电子器件设计和优化提供参考和指导。
最终的目的是加深对GaN基电子器件中极化库伦场散射机制的理解，为开发更优良的GaN基电子器件提供理论指导和技术支持。