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SiC薄膜的制备及性能研究
指导老师：
学生姓名:
专业班级：材料工程

摘要
碳化硅被誉为下一代半导体材料，因为其具有众多优异的物理化学特性，被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件.本文阐述了SiC研究进展及应用前景，从光学性质、电学性质、热稳定性、化学性质、硬度和耐磨性、掺杂物六个方面介绍了SiC的性能。SiC有高的硬度与热稳定性，稳定的结构,大的禁带宽度,高的热导率,优异的电学性能。同时介绍了SiC的制备方法：物理气相沉积法和化学气相沉积法,以及SiC薄膜表征手段。包括X射线衍射谱、傅里叶红外光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱等.最后讲了SiC的光学性能和电学性能以及参杂SiC薄膜的光学性能研究进展。

关键词：SiC,溅射，掺杂，性能研究

StudyOnTheSynthesisAndPropertiesOfSiCFilm
Class：MaterialEngineering
Name：HengyiWang
Instructor:YuxiangLi

Abstract
Siliconcarbideisknownasnext—generationsemiconductormaterials，becauseithasmanyexcellentphysicalandchemicalcharacteristics，widelyappliedlightelectricparts,highfrequencypower,hightemperatureelectronicdevices.Thispaperexpoundstheresearchprogressandapplicationprospectsoffoundation,fromopticalproperties,electricalproperties，thermalstability,chemicalproperties,hardnessandabrasionresistance，dopingthingsixaspectsintroducestheperformanceofSiC.SiChashighhardnessandthermalstability,stablestructure，largeforbiddenbandwidth,highthermalconductivity，excellentelectricalproperties.MeanwhileintroducesthepreparationmethodsofSiC：thephysicalvapordepositionandchemicalvapordeposition,andSiCfilmcharacterizationmethods。IncludingX—raydiffractionspectrum,Fourierinfraredspectra,Ramanspectra,X—rayphotoelectronspectroscopy（XPS）。FinallyspokeSiCopticalperformanceandelectricalpropertiesandjoinedSiCfilmopticalpropertiesresearchprogress.

Keywords:SiC,Spurting，Mingle，Performancestudy

目录

1绪论…………………………………………………………………5
1.1引言……………………………………………………………5
1.2SiC材料的研究进展…………………………………………6
1。3SiC的晶体结构、特性及应用前景…………………………7
1.3。1SiC的晶体结构………………………………………7
1。3.2SiC的物理和化学性质………………………………9
1。3.3SiC的应用前景………………………………………11
1。4SiC的掺杂……………………………………………………12
2SiC薄膜的制备方法………………………………………………14
2。1物理气象沉积法……………………………………………14
2.1。1溅射…………………………………………………14
2。1.2分子束外延…………………………………………16
2。1。3离子注入合成法……………………………………17
2.2化学气象沉积法……………………………………………17
2.2。1低压化学气相沉积…………………………………17
2.2。2热灯丝化学气相沉积法……………………………18
2.2。3等离子增强化学气相沉积…………………………18
3SiC薄膜的表征方法………………………………………………21
3。1X射线衍射谱……………………………