SiC薄膜的制备及性能研究.doc

SiC薄膜的制备及性能研究————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：个人收集整理勿做商业用途个人收集整理勿做商业用途第页个人收集整理勿做商业用途SiC薄膜的制备及性能研究指导老师：学生姓名：专业班级：材料工程摘要碳化硅被誉为下一代半导体材料，因为其具有众多优异的物理化学特性，被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。本文阐述了SiC研究进展及应用前景，从光学性质、电学性质、热稳定性、化学性质、硬度和耐磨性、掺杂物六个方面介绍了SiC的性能.SiC有高的硬度与热稳定性，稳定的结构,大的禁带宽度,高的热导率,优异的电学性能。同时介绍了SiC的制备方法：物理气相沉积法和化学气相沉积法，以及SiC薄膜表征手段.包括X射线衍射谱、傅里叶红外光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱等.最后讲了SiC的光学性能和电学性能以及参杂SiC薄膜的光学性能研究进展。关键词：SiC，溅射，掺杂，性能研究StudyOnTheSynthesisAndPropertiesOfSiCFilmClass：MaterialEngineeringName：HengyiWangInstructor:YuxiangLiAbstractSiliconcarbideisknownasnext-generationsemiconductormaterials,becauseithasmanyexcellentphysicalandchemicalcharacteristics,widelyappliedlightelectricparts,highfrequencypower,hightemperatureelectronicdevices.Thispaperexpoundstheresearchprogressandapplicationprospectsoffoundation,fromopticalproperties,electricalproperties,thermalstability,chemicalproperties，hardnessandabrasionresistance,dopingthingsixaspectsintroducestheperformanceofSiC。SiChashighhardnessandthermalstability,stablestructure,largeforbiddenbandwidth，highthermalconductivity，excellentelectricalproperties.MeanwhileintroducesthepreparationmethodsofSiC:thephysicalvapordepositionandchemicalvapordeposition,andSiCfilmcharacterizationmethods.IncludingX—raydiffractionspectrum，Fourierinfraredspectra,Ramanspectra，X—rayphotoelectronspectroscopy（XPS).FinallyspokeSiCopticalperformanceandelectricalpropertiesandjoinedSiCfilmopticalpropertiesresearchprogress.文档为个人收集整理,来源于网络本文为互联网收集，请勿用作商业用途Keywords:SiC,Spurting,Mingle,Performancestudy目录1绪论…………………………………………………………………51。1引言……………………………………………………………51。2SiC材料的研究进展…………………………………………61。3SiC的晶体结构、特性及应用前景…………………………71。3。1SiC的晶体结构………………………………………71.3。2SiC的物理和化学性质………………………………91.3.3SiC的应用前景………………………………………111.4SiC的掺杂……………………………………………………122SiC薄膜的制备方法………………………………………………142.1物理气象沉积法……………………………………………142.1.1溅射…………………………………………………142.1。2分子束外延…………………………………………162。1。3离子注入合成法……………………………………172。2化学气象沉积法……………………………………………172。2。1低压化学气相沉积…………