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SiC薄膜及其缓冲层的制备与性能研究的任务书
任务书：SiC薄膜及其缓冲层的制备与性能研究
一、总体任务
本课题旨在研究SiC薄膜及其缓冲层的制备方法、性能及其在器件中的应用，为高性能、高可靠性、高集成度的硅基光电器件的研究提供技术支持和理论基础。
二、研究内容
1.SiC薄膜的制备方法研究：
（1）研究SiC薄膜的制备方法，包括化学气相沉积、物理气相沉积、分子束外延等方法，对各种方法的优缺点进行比较分析。
（2）优选一种制备方法，考虑其可实现性、成本以及对SiC薄膜质量影响等因素，确立SiC薄膜制备方法。
2.SiC薄膜质量评估：
（1）利用X射线衍射仪（XRD）、光学显微镜等分析手段，对SiC薄膜的物理化学性质进行表征和分析。
（2）建立SiC薄膜表面形貌评估指标体系和评估方法，对SiC薄膜表面形貌进行表征和分析。
3.SiC薄膜缓冲层研究：
（1）研究缓冲层的种类及其对SiC薄膜质量的影响。
（2）考虑缓冲层的应力问题，确定缓冲层的生长条件和生长方式。
4.SiC薄膜的应用研究：
（1）研究SiC薄膜的应用领域和尺寸，包括光电器件、微机械系统等。
（2）研究SiC薄膜制备方法对其应用性能的影响，包括SiC薄膜在器件中的稳定性、电学性能等方面。
三、研究计划
1.PhaseI(前六个月)
（1）调研SiC薄膜的制备方法、表征及其缓冲层的研究现状。
（2）结合本课题需求，确定SiC薄膜制备方法、表征及其缓冲层的研究方案。
2.PhaseⅡ(六个月至一年)
（1）确定SiC薄膜制备方法，对其进行优化改良。
（2）对SiC薄膜进行表征、评估及其缓冲层的研究。
3.PhaseⅢ(一年至一年半)
（1）进行SiC薄膜在器件中的应用研究。
（2）总结课题研究成果，进行论文撰写与发表。
四、预期成果
1.确立SiC薄膜的制备方法。
2.确定适合SiC薄膜缓冲层的生长条件和方式。
3.确立SiC薄膜表面形貌评估指标体系和评估方法。
4.确定SiC薄膜在器件中的应用尺寸和领域。
5.对SiC薄膜制备方法、表征及其缓冲层的研究成果进行总结和实践应用。