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共掺杂ZnO基透明导电薄膜的研究的任务书 任务书 题目:共掺杂ZnO基透明导电薄膜的研究 研究背景和意义: 透明导电薄膜是一种具有广泛应用前景的材料,如平板显示、太阳能电池、LED等。其中,金属氧化物材料透明导电的优势在于其不仅具有优异的透明性能,而且有着良好的耐腐蚀性、热稳定性和机械强度等特点。在金属氧化物材料中,氧化锌被广泛研究和应用。 氧化锌具有许多优异的性质,例如高透明度、宽带隙、高耐热性、良好的导电性、化学稳定性和生物相容性等特点,这使得它在透明导电材料中具有重要的地位。但是,由于氧化锌具有固有的n型导电性,这意味着它在自然状态下难以和p型元件有效有效结合,从而限制了它在一些实际应用中的发挥。 在过去的几十年中,通过共掺杂技术,研究人员已经发现,在氧化锌中混合掺杂钙、锶、镓等离子体,可以通过在氧化锌晶格中引入缺陷来提高薄膜导电性能,从而实现氧化锌和p型元件的有效结合,并提高器件的性能。共掺杂技术不仅能够使氧化锌的n型掺杂浓度减小,而且能够引入p型掺杂物进入晶格,这样就更容易形成p型材料。 此外,共掺杂的技术还具有一定的潜力,可以提高ZnO基透明导电薄膜的导电性和透明性,为制造高效、高性能、优异的ZnO基透明导电薄膜提供更好的选择。 基于这些,本研究拟采用共掺杂技术在氧化锌基底上制备ZnO基透明导电薄膜,并系统分析共掺杂离子对晶体结构、光电性能及器件性能影响的规律。 研究内容和方法: 研究内容: 1.共掺杂离子对氧化锌薄膜的晶体结构和表面形貌的影响,利用X射线衍射仪、扫描电镜等实验手段进行分析。 2.共掺杂离子对氧化锌薄膜的光学和电学性质的影响,通过制备氧化锌基透明导电薄膜并测试其透明度、电阻率、载流子浓度、载流子迁移率等关键性能参数,探究共掺杂技术对ZnO基透明导电薄膜性能的影响。 3.ZnO基透明导电薄膜在器件中的应用性能测试,如发光亮度、发光效率、能耗等,验证共掺杂技术对ZnO基透明导电薄膜在应用领域中性能的提升。 研究方法: 1.合成ZnO材料和p型掺杂物材料,并进行共掺杂处理。通过分析不同共掺杂材料的结构、表面、电学、光学性质,确定最优共掺杂材料。 2.通过化学气相沉积等技术在氧化锌正交衬底上制备ZnO基透明导电薄膜,并通过光学显微镜、扫描电镜等实验手段进行膜层形貌、晶体结构等方面的表征。 3.通过测试透明度仪等实验手段对ZnO基透明导电薄膜的光学性质进行测试,通过四探针仪等实验手段测试材料的电性能。 4.通过器件实验研究ZnO基透明导电薄膜的应用性能,如发光亮度、发光效率、能耗等参数并进行定量研究。 预期成果: 1.成功制备出ZnO基透明导电薄膜。 2.成功实现共掺杂技术对ZnO基透明导电薄膜的性能提升。 3.探究不同掺杂材料对ZnO基透明导电薄膜性能的影响规律。 4.探究共掺杂技术对ZnO基透明导电薄膜在实际器件应用中性能的提升。 参考文献: [1]C.L.Hu,Y.F.HuangandH.Y.Lin.Enhancedphoto-inducedpropertiesofzincoxidethinfilmsbyco-dopingwithindiumandcobalt.ThinSolidFilms,2010,518(21):6166-6169. [2]K.Kuzmíková,K.Kryštofová,M.Es-Souni,etal.CopperdopedZnOthinfilmsforopticalandelectricalapplications.PhysicaStatusSolidi(a),2012,209(7):1335-1339. [3]W.C.Lee,J.H.Lee,W.K.Lee,etal.StructuralandopticalpropertiesofGa-andF-codopedZnOthinfilmsbychemicalvapordeposition.ThinSolidFilms,2012,520(14):4608-4613. [4]孙晓轩,高亚奎,何鹏飞.共掺杂法制备锌氧化物载流子控制薄膜[J].中国稀土学报,2019,37(2):190-195. [5]YongDu,ZhiboZhou,ZiwenLi,etal.CharacterizationofaluminumdopedZnOthinfilmspreparedbychemicalvapordeposition.ThinSolidFilms,2009,517(4):1412-1415.