沟槽式肖特基用高均匀性硅外延支撑层高速生长工艺研究.pptx
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汇报人:目录PARTONEPARTTWO选择合适的硅外延设备优化硅外延工艺参数确定合适的硅源和气体流量控制温度和时间PARTTHREE温度控制气体流量和压力控制衬底选择和处理表面形貌和结构分析PARTFOUR确定肖特基的几何形状和尺寸设计沟槽式肖特基的电极结构优化肖特基的表面处理工艺测试肖特基的性能指标PARTFIVE分析硅外延支撑层的厚度和组分分布对肖特基性能的影响研究硅外延支撑层的表面形貌和结构对肖特基性能的影响探讨硅外延支撑层的掺杂浓度对肖特基性能的影响评估硅外延支撑层对沟槽式肖特基稳定性和可靠性的
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低功耗肖特基整流器件用200mm高均匀性硅外延层生长工艺低功耗肖特基整流器件用200mm高均匀性硅外延层生长工艺引言:随着电子器件迅速发展,对于低功耗肖特基整流器件的需求也越来越大。肖特基二极管被广泛应用于功率电子器件和电视机等领域,其主要优点是快速开关速度和低功耗。对于肖特基整流器件而言,高均匀性硅外延层的生长工艺对于器件性能具有至关重要的影响。一、高均匀性硅外延层生长方法的研究背景目前,已经有多种方法和技术用于高均匀性硅外延层的生长。其中,分子束外延(MBE)和化学气相沉积(CVD)是两种常见的方法。
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