桶式外延炉吹扫工艺改善外延层电阻率均匀性的研究.docx
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桶式外延炉吹扫工艺改善外延层电阻率均匀性的研究.docx
桶式外延炉吹扫工艺改善外延层电阻率均匀性的研究桶式外延炉是外延生长过程中常用的设备,用于在衬底上沉积高纯度的晶体材料。然而,制备高质量的外延层仍然是一个挑战,其中一个重要的因素是外延层的电阻率均匀性。本文对桶式外延炉吹扫工艺进行了研究,以改善外延层电阻率的均匀性。首先,介绍了外延生长过程以及桶式外延炉的基本原理。外延生长是一种将晶体材料沉积在衬底上的方法,可以获得高质量的晶体片。桶式外延炉是一种常见的外延生长设备,具有较大的生长室和均匀的温度分布,可以实现大规模的外延生长。然后,分析了外延层电阻率不均匀性
一种桶式外延炉IC片外延工艺方法.pdf
本发明公开了一种常压下IC图形片生长N‑硅外延层的方法,选用轻掺B(硼)的P型〈111〉IC片,电阻率10~20Ω.cm。外延层参数:电阻率4ohm.cm,厚度10um。本专利通过使用梯形桶式外延系统,在常压下外延生长,通过高温高转速生长工艺,减少图形不发生畸变和漂移的同时,外延层厚度和电阻率一致性达到6寸IC图形外延片的批量生产要求。
一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法.pdf
本发明公开了一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法,首先将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层,第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度;然后将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动,进行外延生长至设定外延层总厚度,采用两步生长过程,先进行第一层外延层生长,形成的第一层外延层覆盖了衬底,在进行二次生长时,硅衬底正面及侧面边缘杂质的蒸发被第一层外延层抑制;硅衬底背面采用多晶及氧化层进行背封,背面杂质的蒸发也被有效抑制,再次生长完成外延层生长,能够有效抑制外延自掺杂效应
一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法.pdf
本发明涉及一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法,包括以下步骤:将上部石英圆盖的内表面制作成倾斜面;将上部石英圆盖安装在基座上,上部石英圆盖的倾斜面沿气流方向安装,即越离气流末尾的位置上部石英圆盖离基座越近;通入反应气体,反应气体通过硅片时在硅片上沉积下硅,形成外延。本发明解决沿着气流方向硅源浓度越来越少导致生长速率不断下降的问题,消除了外延层厚度沿硅片径向分布成特殊的“W”形,极大提高外延片产品质量。
提高外延片片内电阻率均匀性的方法.pdf
本发明公开了一种提高外延片片内电阻率均匀性的方法,涉及硅衬底外延层的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤:利用高纯度的氯化氢气体在高温下对外延炉基座进行腐蚀;向外延炉基座片坑内装入硅衬底片,外延炉升温过程中利用高纯度的氢气吹扫外延炉腔体,直到达到设定的温度;恒温5min以上;外延炉升温至设定温度后进行大流量变流量吹扫,气体流量设定为100‑‑400L/min,时间大于4min;将外延炉降温到外延生长温度,进行硅衬底片的外延生长。所述方法可使外延片片内电阻率更均匀,成品率极大提升,且SRP曲线轮廓一致