

优化薄膜外延生长均匀性的装置、方法及外延生长设备.pdf
Ja****23
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优化薄膜外延生长均匀性的装置、方法及外延生长设备.pdf
本发明公开了一种优化薄膜外延生长均匀性的装置、方法及外延生长设备。所述方法包括:使承载衬底的托盘同时绕第一轴线和第二轴线做圆周运动,以使所述衬底上任一点沿一非圆形轨迹做摆线运动,从而使沉积到衬底表面不同位置的原料的量相同,其中,所述第一轴线为托盘自身轴线,所述第二轴线与第一轴线相互平行且不重合。本发明通过使衬底表面点做摆线运动,使衬底表面点可经过更多的路径以覆盖到更大的源炉束流的入射区域,源炉到衬底表面不同位置的入射距离多次取均值后基本保持恒定,从而使衬底表面不同位置的入射通量基本相同,进而提高了薄膜生长
一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法.pdf
一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法,包括以下步骤:选取衬底,该衬底的规格尺寸大于等于预生长外延片的规格尺寸;设置一个环结构件,该环结构件的内径尺寸大小等于衬底的规格尺寸,环结构件的厚度与衬底的厚度可以相等或者不相等;将衬底放置入环结构件中,环结构件将衬底的边缘全部包围连成一个连续的生长区域;将衬底及环结构放置在生长室中进行生长,使得衬底上生长出预设规格结构的薄膜外延片;生长完成后,将环结构件取出,烘烤、清洗干净留待下次使用。本发明利用环结构件降低由于衬底边界条件带来的不利影响,最终获得均匀性很好的外延片。
用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法.pdf
本发明涉及一种用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法,该用于调控晶圆外延生长均匀性的装置包括加热炉、托盘、支撑杆、温度传感器、引线及温度控制模块,托盘与支撑杆均安装于加热炉内,托盘用于放置生长晶圆或测温晶圆,支撑杆连接托盘,支撑杆用于驱动托盘转动;温度传感器安装于托盘上,引线的一端连接温度传感器,另一端连接温度控制模块,引线穿设支撑杆,并用粘接剂密封;工作时,生长晶圆或测温晶圆用于放置于温度传感器上。本装置通过温度传感器实时监测生长晶圆或测温晶圆的表面温度,且将监测的温度在线反馈至温度控制模块进行控温,测
外延生长装置.pdf
本申请涉及外延生长装置,外延生长装置包括炉体,炉体设有反应腔,反应腔内分别设有水平设置的第一反应基座和第二反应基座,第一反应基座和第二反应基座沿着水平方向间隔设置。炉体还设有分别连通反应腔的第一进气部、第二进气部和出气部,第一反应基座设于第一进气部和出气部之间,第二反应基座设于第二进气部和出气部之间;反应介质能够分别通过第一进气部和第二进气部进入反应腔,并通过出气部离开反应腔。本申请提供的外延生长装置,解决了现有的外延炉的外延层产出效率过低的问题。
一种改善FDSOI外延生长的薄膜工艺优化方法.pdf
本发明公开了一种改善FDSOI外延生长的薄膜工艺优化方法,其可减少栅极区与顶层硅相连接拐角处的残留薄膜,晶体管包括衬底,衬底上分布有主动区域、沟槽隔离区、栅极区,衬底包括N型硅衬底、P型硅衬底,主动区域上表面沉积第一层顶层硅,薄膜加工包括:在N型硅衬底、P型硅衬底上表面均沉积第一层薄膜,在P型硅衬底的第一层薄膜的上方设置掩膜版,对N型硅衬底上方的第一层薄膜进行刻蚀,在第一层顶层硅的表面沉积第二层顶层硅,在第二层顶层硅表面沉积第二层薄膜,刻蚀N型硅衬底上方的第二层薄膜,对第二层薄膜刻蚀后,在第二层顶层硅的外