等离子体增强原子层沉积技术制备碳化钴薄膜.pptx
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一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法.pdf
本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法,包括有载气瓶、氢气瓶、AMD‑Ni单体瓶、DAD‑Ni单体瓶、加热炉、机械泵和射频电源,将AMD‑Ni单体瓶和DAD‑Ni单体瓶放在加热套内,加热套内壁缠上加热带,在加热炉内设有反应腔,反应腔内放有基片台,基片台内置有热电偶,所述的载气瓶的出气口分别连接质量流量控制器一、流量控制器二、流量控制器三,流量控制器一的出口依次连接ALD阀一和AMD‑Ni单体瓶的进口,流量控制器二的出口依次连接ALD阀二和DAD‑Ni单体瓶的进口、流量控制器三的出口依
等离子体增强原子层沉积技术制备过渡金属薄膜的研究进展.pptx
,目录PartOnePartTwo技术原理技术发展历程技术优缺点应用领域PartThree过渡金属薄膜的特性过渡金属薄膜的制备方法过渡金属薄膜的应用前景PartFour实验设备与材料实验过程与步骤实验结果与讨论实验结论与展望PartFive理论模型与计算方法理论分析结果与讨论理论应用前景与展望PartSix技术挑战解决方案与对策技术发展趋势与展望THANKS
等离子体增强原子层沉积技术研究.pptx
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原子层沉积制备铱薄膜的特性研究.docx
原子层沉积制备铱薄膜的特性研究铱(Ir)是周期表中的一种金属元素,具有高的密度和强的化学稳定性。由于它在高温和氧化条件下的稳定性,铱薄膜被广泛应用于热电偶和高温热反应器。原子层沉积(ALD)是铸造超薄膜的一个先进技术,通过逐层沉积控制每一层生成,可以获得高质量和可重复的薄膜。ALD使用预先选择的反应物,它们逐渐沉积在基底表面上,而且这些反应物具有漂亮的表面粒子分散性,这意味着成膜的均匀性非常高。铱薄膜的ALD方法可以使用化学气相沉积(CVD)来实现,其中Ir(acac)3是一种常用的Ir前体,它可以与H2