MWNTsPI复合薄膜介电性能研究的任务书.docx

MWNTsPI复合薄膜介电性能研究的任务书
任务书
一、选题背景
随着电子技术与材料科学的不断发展，薄膜技术在电子元器件、显示屏、太阳能电池、光电传感器等领域中得到了广泛的应用。复合薄膜作为一种新型的材料，具有结构多样性、性能可调性、界面效应等特点，因此也受到了研究者的广泛关注。
此次选题主要研究MWNTsPI（多壁碳纳米管合成聚酰亚胺薄膜）复合薄膜的介电性能，即该薄膜在电场下的性质变化以及介质常数、电容等方面的影响，为进一步了解该复合薄膜的性质和应用提供理论和实验依据。
二、研究内容和方法
1.研究内容
（1）MWNTsPI复合薄膜的制备及表征
采用化学还原法制备MWNTsPI复合薄膜，利用XRD、SEM等手段表征复合薄膜的结构和形貌。
（2）MWNTsPI复合薄膜的介电性能测试
通过LEESI和伏安法等方法测试MWNTsPI复合薄膜在电场下的性质变化，并测定复合薄膜的介质常数、电容等性能参数。
（3）介电性能数据处理及分析
对测试得到的数据进行分析处理，探究MWNTsPI复合薄膜中纳米管含量、分散性等因素对介电性能的影响。
2.研究方法
采用化学还原法将MWNTs与聚酰亚胺（PI）材料进行复合，并制备成薄膜。利用XRD、SEM等手段表征薄膜的结构和形貌。
采用LEESI和伏安法等方法测试MWNTsPI复合薄膜在电场下的性质变化，并测定复合薄膜的介质常数、电容等性能参数。
通过对数据进行统计分析，探究MWNTsPI复合薄膜中纳米管含量、分散性等因素对介电性能的影响。
三、研究意义
MWNTsPI复合薄膜作为一种新型的材料，具有结构多样性和高性能特点，有着广泛的应用前景。该研究旨在通过对其介电性能的分析，深入了解该复合薄膜的物理性质，为进一步的材料性能优化和应用开发提供理论和实验基础。
四、进度安排
第一阶段（1-2周）：确定研究方向和内容，查阅相关文献，制定实验方案。
第二阶段（3-6周）：根据实验方案，制备MWNTsPI复合薄膜，并进行表征。
第三阶段（7-9周）：对MWNTsPI复合薄膜进行介电性能测试，并测定介质常数、电容等参数。
第四阶段（10-12周）：对测试数据进行分析，探究MWNTsPI复合薄膜的介电性能规律，撰写研究报告。
五、预期成果
本研究将对MWNTsPI复合薄膜的介电性能进行深入研究，探究该复合薄膜中纳米管含量和分散性等因素对介电性能的影响，并对其物理性质进行分析和解释。预期成果包括：掌握MWNTsPI复合薄膜的制备工艺；测定MWNTsPI复合薄膜的介电性质，并得到介质常数、电容等数据；探究MWNTsPI复合薄膜中纳米管的性质与介电性能之间的关系；撰写相关学术论文并发表。